[发明专利]NLDMOS的制造方法

权利要求书

1.一种NLDMOS的制造方法，其特征在于：在半导体衬底上形成深N阱，低压N阱，场氧隔离层以及在所述半导体衬底表面淀积栅介质层和用于形成多晶硅栅的第一多晶硅层后，包括步骤：

步骤一、采用光刻工艺形成具有第一开口的第一光刻胶图形，所述光刻胶图形的第一开口定义出P型体区的形成区域；

步骤二、以所述第一光刻胶图形为掩模，采用刻蚀工艺依次去除所述P型体区的形成区域的所述第一多晶硅层和所述栅介质层，并将所述深N阱表面露出；

步骤二中所述第一多晶硅层刻蚀后形成所述多晶硅栅的第一侧面，相邻两个所述多晶硅栅的第一侧面形成第二开口，所述第二开口的侧面和所述第一开口的侧面对齐；

在刻蚀所述第一多晶硅层的过程中会在所述第一光刻胶图形的表面形成聚合物；

步骤三、对所述第一光刻胶图形表面进行灰化处理；

所述灰化处理将表面形成有所述聚合物的所述第一光刻胶图形的表面部分去除，所述灰化处理同时将所述第一光刻胶图形的第一开口扩大为第三开口，所述第三开口的尺寸大于所述第二开口的尺寸从而在所述多晶硅栅的第一侧面处形成由位于所述第二开口外以及所述第三开口内的所述第一多晶硅层组成的多晶硅突出部分；

步骤四、进行所述P型体区的离子注入，所述P型体区的离子注入直接将P型杂质注入到所述第二开口底部的所述深N阱中以及所述P型体区的离子注入穿过所述多晶硅突出部分将P型杂质注入到所述多晶硅栅的第一侧面内的所述第一多晶硅层的底部且被所述第一多晶硅层覆盖的所述P型体区的表面用于形成沟道；

通过去除所述第一光刻胶图形表面的所述聚合物保证所述P型体区的离子注入能将杂质注入所述多晶硅栅的第一侧面内的所述第一多晶硅层的底部，同时通过调节所述多晶硅突出部分的宽度调节所述沟道的长度；

所述多晶硅突出部分的底部的所述P型体区的P型杂质的深度小于所述第二开口底部的所述P型体区的P型杂质的深度，使和所述P型体区的侧面相接触的漂移区的掺杂浓度具有梯度分布结构；

步骤五、去除所述第一光刻胶图形；之后采用快速热退火工艺对所述P型体区的离子注入的杂质进行推进；

步骤六、采用光刻工艺定义出栅极区域，采用刻蚀工艺将栅极区域外的所述第一多晶硅层和所述栅介质层去除；步骤六中所述第一多晶硅层刻蚀后形成所述多晶硅栅的第二侧面并形成完整的所述多晶硅栅，由所述栅介质层和所述多晶硅栅叠加形成栅极结构；

步骤七、在所述栅极结构的侧面形成侧墙；

步骤八、进行N型重掺杂的源漏注入形成源区和漏区，所述源区形成于所述P型体区中并和所述P型体区上的所述多晶硅栅第一侧面的侧墙自对准。

2.如权利要求1所述的NLDMOS的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。

3.如权利要求2所述的NLDMOS的制造方法，其特征在于：所述场氧隔离层采用浅沟槽隔离结构。

4.如权利要求2所述的NLDMOS的制造方法，其特征在于：所述栅介质层为栅氧化层。

5.如权利要求2所述的NLDMOS的制造方法，其特征在于：步骤三中的所述灰化处理采用干法刻蚀实现。

6.如权利要求5所述的NLDMOS的制造方法，其特征在于：所述灰化处理的干法刻蚀为具有等离子体的干法刻蚀。

7.如权利要求5所述的NLDMOS的制造方法，其特征在于：通过调节所述灰化处理的时间调节所述多晶硅突出部分的宽度。

8.如权利要求2所述的NLDMOS的制造方法，其特征在于：步骤五中采用湿法工艺去除所述第一光刻胶图形。