[发明专利]一种基于CMOS工艺的天线在审
| 申请号： | 201910247016.5 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109830796A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 周杨;李旺;张根烜;段宗明;吴博文 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01L21/48;H01L23/58 |
| 代理公司： | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人： | 杜丹丹 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质层 共面波导 金属层 贴片 天线 过渡机构 上表面 微带线 衬底 芯片 高密度集成 机构设置 天线集成 一端连接 一致性好 整体系统 互连 匹配 电路 互联 | ||
1.一种基于CMOS工艺的天线，其特征在于：包括衬底、介质层和金属层，所述衬底的上表面设有介质层，所述介质层的上表面设有金属层；
所述金属层包括贴片、微带线、过渡机构和共面波导机构，所述贴片设置在介质层的中心位置，所述微带线的一端连接贴片的一侧，另一端通过过渡机构连接共面波导机构，所述共面波导机构设置在介质层的一端。
2.根据权利要求1所述的一种基于CMOS工艺的天线，其特征在于：CMOS工艺采用CMOS65nm工艺。
3.根据权利要求1所述的一种基于CMOS工艺的天线，其特征在于：CMOS工艺具体工作步骤如下：
步骤1：在衬底的上表面涂覆介质层；
步骤2：在介质层上沉积金属层。
4.根据权利要求1所述的一种基于CMOS工艺的天线，其特征在于：所述共面波导机构为对称共面波导机构，包括中心带和接地带，所述中心带连接过渡机构，所述接地带对称设置在中心带的两侧，所述中心带与接地带之间有间隙。
5.根据权利要求1所述的一种基于CMOS工艺的天线，其特征在于：所述微带线和共面波导机构均为平面传输线。
6.根据权利要求1所述的一种基于CMOS工艺的天线，其特征在于：所述贴片为方形状。
7.根据权利要求1所述的一种基于CMOS工艺的天线，其特征在于：所述贴片为E形状。
8.根据权利要求1所述的一种基于CMOS工艺的天线，其特征在于：所述衬底为CMOS硅衬底。
9.根据权利要求1所述的一种基于CMOS工艺的天线，其特征在于：所述金属层通过一次性平面光刻和电镀工艺沉积在介质层上。
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