[发明专利]一种MWT与TopCon结合的太阳能电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201910247239.1 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109935642A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 武青茹;张高洁;张凤鸣;路忠林;吴仕梁 | 申请（专利权）人： | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人： | 李玉平 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 基底硅片 太阳能电池转换效率 背面金属电极层 超薄氧化层 发射极层 减反射膜 少子寿命 电极点 钝化膜 负极孔 银栅线 薄层 堵孔 极点 银电 银浆 背面 制造 扩散 | ||
1.一种MWT与TopCon结合的太阳能电池，其特征在于：包括打有多个负极孔的N型基底硅片；所述N型基底硅片的正面依次设有P+扩散发射极层、Al2O3钝化膜、SiNx减反射膜、正银栅线层和正银电极点层；所述N型基底硅片的背面依次设有超薄氧化层、P掺杂n型硅薄层、背面金属电极层和堵孔银浆电极点层。
2.如权利要求1所述的MWT与TopCon结合的太阳能电池，其特征在于：所述负极孔内设有银浆用于堵孔，负极孔孔口处的银浆在N型基底硅片的背面形成堵孔银浆电极点。
3.如权利要求1所述的MWT与TopCon结合的太阳能电池，其特征在于：所述负极孔为圆锥形负极孔。
4.如权利要求1所述的MWT与TopCon结合的太阳能电池，其特征在于：所述超薄氧化层为超薄隧穿SiO2。
5.如权利要求1所述的MWT与TopCon结合的太阳能电池，其特征在于：所述超薄氧化层的厚度为1.4±0.1nm。
6.如权利要求1所述的MWT与TopCon结合的太阳能电池，其特征在于：所述N型基底硅片上打有36个负极孔。
7.一种如权利要求1-6任意一项所述MWT与TopCon结合的太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，采用N型基底硅；
步骤2，在N型基底硅上进行激光打孔，打36个负极孔，做MWT技术；
步骤3，制绒；
步骤4，在N型基底硅正面形成P+发射极；
步骤5，刻蚀；
步骤6，氧化退火做背面超薄氧化层；
步骤7，沉积掺磷非晶硅；
步骤8，正面沉积Al2O3和SiNx减反射膜；
步骤9，丝网印刷：背电极印刷、堵孔电极印刷、背电场印刷、正电极印刷。
8.如权利要求7所述的MWT与TopCon结合的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述步骤4中，采用硼扩散方式硼扩散，形成P+扩散发射极。
9.如权利要求7所述的MWT与TopCon结合的太阳能电池的制造方法，其特征在于，利用LPCVD设备制备沉积掺磷非晶硅，掺杂非晶硅后再过一次氮气退火1000s,15000sccm流量。
10.如权利要求7所述的MWT与TopCon结合的太阳能电池的制造方法，其特征在于，氧化退火采用600s，900sccm氧气退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
