[发明专利]一种晶圆研磨工艺

说明书

本发明公开了一种晶圆研磨工艺，所述晶圆研磨方法包括：提供一晶圆，所述晶圆具有第一面、第二面以及多个凹陷于所述第一面的开口部，所述晶圆具有一厚度；填入一可塑性胶材于所述开口部中，并固化所述可塑性胶材；以及进行研磨步骤，以使所述晶圆的所述厚度薄化。与现有技术相比，本发明在晶圆表面填入可塑性胶材，将晶圆凸块接点通过研磨方式将共平面控制在更精密的条件中，并在后续与液晶面板接合方式由传统的ACF压合可以改成NCF的压合，使其可达到较低的封装成本及更高的产品良率。

技术领域

本发明涉及晶圆加工技术领域，具体涉及一种晶圆研磨工艺。

背景技术

晶圆制造过程涉及薄膜的淀积和生长工艺，以及之后形成器件和内部互连结构所需的多次图形制作。先进的IC需要多层的金属布线层,每层之间由层间介质ILD隔开。建立器件结构和多层内连线会很自然地在层之间形成台阶，表面起伏描述了这种生产过程中出现的不平整的硅片表面。层数增加时，硅片表面起伏将更加显著，而一个可接受的台阶覆盖和间隙填充对于芯片的成品率和长期可靠性是至关重要的。

更高的芯片封装密度加剧了表面起伏的程度,现在越来越频繁地使用多层金属技术，并要求更小的器件和连线尺寸，先进IC表面出现更高的台阶和深宽比更大的沟槽,使得表面起伏的问题更加突出。

在晶圆的正面由于厚铝膜以及一些有机绝缘材料如聚酰亚胺的存在，会导致晶圆正面具有高低落差较大，非常不平整的表面形貌，然而，在研磨过程中，晶圆的破裂区域A、B(如晶圆边缘)因强度变弱而导致破裂，并且硅渣容易卡在开口部内。因此，如何避免研磨过程中发生的破裂及残留硅渣等严重缺陷，因此，有必要提供一种晶圆研磨方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明旨在提供了一种晶圆研磨工艺。

本发明提供如下技术方案：

一种晶圆研磨工艺，所述晶圆研磨方法包括：提供一晶圆，所述晶圆具有第一面、第二面以及多个凹陷于所述第一面的开口部,所述晶圆具有一厚度；填入一可塑性胶材于所述开口部中，并固化所述可塑性胶材；以及进行研磨步骤，以使所述晶圆的所述厚度薄化。

所述开口部包括以干式蚀刻形成，且所述开口部的深度小于所述晶圆的所述厚度。

所述开口部包括以湿式蚀刻形成，且所述开口部的深度小于等于所述晶圆的所述厚度。

填入可塑性胶材于所述开口部中的方法包括印刷、涂胶、点胶或旋转涂胶。

进行研磨的步骤包括：贴附第一胶带于所述晶圆的所述第一面，且使所述晶圆的所述第二面朝上；以一研磨垫对所述晶圆的所述第二面进行全面性研磨,直到显露出所述开口部以及所述可塑性胶材；以及移除所述第一胶带以及所述可塑性胶材。

所述晶圆研磨方法更包括贴附一第二胶带于所述晶圆的所述第二面。

研磨所述晶圆的所述第二面之前，更包括使所述晶圆的所述第二面朝上。

移除所述第一胶带以及所述可塑性胶材之前，更包括反转所述晶圆，以使所述晶圆的所述第一面朝上。

移除所述第一胶带，以及所述可塑性胶材之前，更包括使所述可塑性胶材脱离所述开口部。

使所述可塑性胶材脱离所述开口部的方法包括加热所述可塑性胶材。

固化所述可塑性胶材的方法包括以紫外光加热固化。

与现有技术相比，本发明在晶圆表面填入可塑性胶材，将晶圆凸块接点通过研磨方式将共平面控制在更精密的条件中，并在后续与液晶面板接合方式由传统的ACF压合可以改成NCF的压合，使其可达到较低的封装成本及更高的产品良率

具体实施方式