[发明专利]一种太阳能电池及制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括由下到上依次层叠排列的衬底、至少两节子电池和接触层，在相邻两节所述子电池之间设置一个隧穿结，其特征在于，所述隧穿结包括：

层叠排列的n型第一掺杂层、n型第二掺杂层、p型第一掺杂层和p型第二掺杂层，所述n型第一掺杂层和所述n型第二掺杂层相邻，所述p型第一掺杂层和所述p型第二掺杂层相邻，所述n型第一掺杂层和所述p型第一掺杂层相邻；其中，所述n型第一掺杂层的n型离子的掺杂浓度高于所述n型第二掺杂层的n型离子的掺杂浓度，所述p型第一掺杂层的p型离子的掺杂浓度高于所述p型第二掺杂层的p型离子的掺杂浓度；

或者层叠排列的n型第三掺杂层、n型第四掺杂层和p型第五掺杂层，所述n型第三掺杂层和所述n型第四掺杂层相邻，所述n型第四掺杂层和所述p型第五掺杂层相邻；其中，所述n型第四掺杂层的n型离子的掺杂浓度高于所述n型第三掺杂层的n型离子的掺杂浓度；

或者层叠排列的p型第三掺杂层、p型第四掺杂层和n型第五掺杂层，所述p型第三掺杂层和所述p型第四掺杂层相邻，所述p型第四掺杂层和所述n型第五掺杂层相邻；其中，所述p型第四掺杂层的p型离子的掺杂浓度高于所述p型第三掺杂层的p型离子的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述n型第二掺杂层的厚度为2～5nm，所述n型第一掺杂层的厚度为5～10nm，所述p型第二掺杂层的厚度为2～5nm，所述p型第一掺杂层的厚度为5～10nm；或者

所述n型第三掺杂层的厚度为2～5nm，所述n型第四掺杂层的厚度为5～10nm，所述p型第五掺杂层的厚度为2～5nm；或者

所述p型第三掺杂层的厚度为2～5nm，所述p型第四掺杂层的厚度为5～10nm，所述n型第五掺杂层的厚度为2～5nm。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述n型第二掺杂层为n型Al_xIn_(1-x)P层，所述n型第一掺杂层为n型Al_yIn_(1-y)P层，所述p型第一掺杂层为p型Al_zIn_(1-z)P层，所述p型第二掺杂层为p型Al_wIn_(1-w)P层，其中，0.25＜x＜0.55，0.25＜y＜0.55，0.25＜z＜0.55，0.25＜w＜0.55；或者

所述n型第三掺杂层为n型Al_aIn_(1-a)P层，所述n型第四掺杂层为n型Al_bIn_(1-b)P层，所述p型第五掺杂层为p型Al_cIn_(1-c)P层，其中，0.25＜a＜0.55，0.25＜b＜0.55，0.25＜c＜0.55；或者

所述p型第三掺杂层为p型Al_dIn_(1-d)P层，所述p型第四掺杂层为p型Al_fIn_(1-f)P层，所述p型第五掺杂层为p型Al_gIn_(1-g)P层，其中，0.25＜d＜0.55，0.25＜f＜0.55，0.25＜g＜0.55。