[发明专利]一种匹配选择性发射极的低压扩散工艺

权利要求书

1.一种匹配选择性发射极的低压扩散工艺，其特征在于：按照如下的步骤进行

步骤一、沉积磷源，进行两次沉积，首先设置沉积压力100-120mbar，温度740-760℃，通氮气流量300-400sccm，三氯氧磷流量900-1000sccm，氧气流量800-900sccm，进行第一次沉积，沉积时间9-10min；然后进行二次沉积，沉积压力100-120mbar，温度780-820℃，通氮气1200-1400sccm，三氯氧磷流量900-1000sccm，不通入氧气，沉积时间6min;

步骤二、 高温推进，进行两次推进，第一次推进，推进压力100-120mbar，温度830-850℃，氮气流量1500-1900 sccm，氧气流量400-600 sccm，时间4min；然后进行二次推进，推进压力100-120mbar，温度850℃，氮气流量1500 sccm，不通入氧气，时间3min;

步骤三、表面磷源沉积，沉积压力100-120mbar，温度840-850℃，通氮气300-400sccm，三氯氧磷900-1000sccm，沉积时间2-3min;

步骤四、低温推进，推进压力100-120mbar,温度780-790℃，通氮气1100-1300sccm，推进时间2-3min。