[发明专利]具有栅极正交壁的单向自对准栅极端盖（SAGE）架构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

第一半导体鳍，所述第一半导体鳍具有沿所述第一半导体鳍的长度的切口；

第二半导体鳍，所述第二半导体鳍具有沿所述第二半导体鳍的长度的切口；以及

位于所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍之间的栅极端盖隔离结构，所述栅极端盖隔离结构具有沿所述第一和第二半导体鳍的所述长度的基本上均匀的宽度。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其中所述栅极端盖隔离结构包括下部介电部分和所述下部介电部分上的介电盖。

3.如权利要求1或2所述的集成电路结构，其中所述栅极端盖隔离结构包括在所述栅极端盖隔离结构内居中的垂直接缝。

4.一种集成电路结构，包括：

位于衬底上方并且突出通过沟槽隔离层的最上表面的第一多个半导体鳍；

位于所述第一多个半导体鳍之上的第一栅极结构，所述第一栅极结构定义在所述第一多个半导体鳍的每一个中的沟道区，以及在所述第一多个半导体鳍的每一个的所述沟道区的相对端上的源极和漏极区域；

位于所述衬底上方并且突出通过所述沟槽隔离层的所述最上表面的第二多个半导体鳍；

位于所述第二多个半导体鳍之上的第二栅极结构，所述第二栅极结构定义在所述第二多个半导体鳍的每一个中的沟道区，以及在所述第二多个半导体鳍的每一个的所述沟道区的相对端上的源极和漏极区域；以及

位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间并与所述第一栅极结构和所述第二栅极结构接触的单向栅极端盖隔离结构，所述单向栅极端盖隔离结构相邻所述第一和第二多个半导体鳍的鳍中的一个鳍中的鳍切口。

5.如权利要求4所述的集成电路结构，其中与最靠近于所述单向栅极端盖隔离结构的所述第二多个半导体鳍的半导体鳍相比，最靠近于所述单向栅极端盖隔离结构的所述第一多个半导体鳍的半导体鳍与所述单向栅极端盖隔离结构间隔得更远。

6.如权利要求5所述的集成电路结构，其中所述第一栅极堆叠包括第一栅极电介质，所述第一栅极电介质与所述第一多个半导体鳍共形且横向相邻于并接触所述单向栅极端盖隔离结构的第一侧，并且其中所述第二栅极堆叠包括第二栅极电介质，所述第二栅极电介质与所述第二多个半导体鳍共形且横向相邻于并接触与所述单向栅极端盖隔离结构的所述第一侧相对的所述单向栅极端盖隔离结构的第二侧。

7.如权利要求6所述的集成电路结构，其中所述第一栅极电介质比所述第二栅极电介质更厚。

8.如权利要求6或7所述的集成电路结构，其中所述第一栅极电介质比所述第二栅极电介质具有更多介电层。

9.如权利要求4、5、6或7所述的集成电路结构，还包括：

所述第一栅极结构之上的第一局部互连，其中所述第一多个半导体鳍属于第一半导体器件；以及

所述第二栅极结构之上的第二局部互连，其中所述第二多个半导体鳍属于与所述第一半导体器件不同的第二半导体器件。

10.如权利要求9所述的集成电路结构，其中所述第一局部互连通过介电插塞与所述第二局部互连隔离。

11.如权利要求4、5、6或7所述的集成电路结构，其中所述单向栅极端盖隔离结构位于所述沟槽隔离层的所述最上表面下方的凹槽中并且在所述第一和第二栅极结构的最上表面上方延伸。

12.如权利要求4、5、6或7所述的集成电路结构，其中所述单向栅极端盖隔离结构包括下部介电部分和所述下部介电部分上的介电盖。

13.如权利要求4、5、6或7所述的集成电路结构，其中所述单向栅极端盖隔离结构包括在所述单向栅极端盖隔离结构内居中的垂直接缝。