[发明专利]双面异色光学防伪元件及其制作方法

权利要求书

1.一种光学防伪元件，其特征在于，包括：

起伏结构层，具有微结构；

反射层，位于所述起伏结构层的局部区域；

涂层，具有第一颜色特征，位于所述起伏结构层的所述局部区域；

其中，所述涂层的表面形成的微结构的比体积小于邻接的所述起伏结构层的微结构的比体积，所述涂层位于所述起伏结构层和所述反射层之间；

其中，所述涂层和所述反射层相对所述光学防伪元件所在平面的投影位置是一致的，

所述反射层相对于与所述涂层邻接一侧的另一侧有保护层，且所述保护层与所述涂层和所述反射层相对所述光学防伪元件所在平面的投影位置也是一致的，

所述保护层为无色的或具有第二颜色特征，所述第二颜色特征与所述第一颜色特征不同，

该光学防伪元件从一侧观察具有所述第一颜色特征，从另一侧观察具有所述反射层固有的色泽或所述第二颜色特征。

2.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述涂层的施加量大于0.1g/m²且小于3g/m²。

3.根据权利要求2所述的光学防伪元件，其特征在于，所述涂层的施加量大于0.2g/m²且小于2g/m²。

4.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，

所述起伏结构层的微结构为周期性结构和非周期性结构中的一种结构，或为周期性结构和非周期性结构组合的结构；

所述起伏结构层的微结构沿延展方向的横截面结构为：

正弦型结构、矩形光栅结构、半圆形结构、闪耀光栅结构中的一种结构，或正弦型结构、矩形光栅结构、半圆形结构、闪耀光栅结构中至少任意两种结构组合的结构。

5.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，

所述起伏结构层的微结构的比体积大于0.1um³/um²且小于3um³/um²。

6.根据权利要求4或5所述的光学防伪元件，其特征在于，所述起伏结构层的微结构的比体积大于0.2um³/um²且小于2um³/um²。

7.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述涂层呈线条图案或点图案，且所述线条图案的线宽度小于0.1mm或所述点图案的点直径小于0.1mm。

8.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述反射层的材料包括铝、银、铜、锡、铬、镍、钛中的一种金属，或铝、银、铜、锡、铬、镍、钛中至少任意两种金属组合构成的合金。

9.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述反射层为多层干涉光变镀层。

10.根据权利要求9所述的光学防伪元件，其特征在于，所述多层干涉光变镀层包括：

镜面层、介电层和吸收层；

所述镜面层与所述涂层邻接；

所述镜面层的材料包括：

铝、银、铜、锡、铬、镍、钛中的一种金属，或铝、银、铜、锡、铬、镍、钛中至少任意两种金属组合构成的合金；

所述介电层的材料包括：

氟化镁、二氧化硅、硫化锌、氮化钛、二氧化钛、一氧化钛、三氧化二钛、五氧化三钛、五氧化二钽、五氧化二铌、二氧化铈、三氧化二铋、氧化铬绿、氧化铁、氧化铪或氧化锌；

所述吸收层的材料包括：

镍、铬、铝、银、铜、锡、钛中的一种金属，或镍、铬、铝、银、铜、锡、钛中至少任意两种金属组合构成的合金。