[发明专利]功率器件和电器

权利要求书

1.一种功率器件，其特征在于，包括：

U相控制电路；V相控制电路；W相控制电路；

第一晶体管，所述第一晶体管的控制端与所述U相控制电路连接，所述第一晶体管的第一端与功率器件的低压区供电电源正端连接，所述第一晶体管的第二端与功率器件的U相高压区供电电源正端连接；

第一电压判断电路，所述第一电压判断电路分别与所述第一晶体管的第一端和所述第一晶体管的第二端连接；

第二晶体管，所述第二晶体管的控制端与所述V相控制电路连接，所述第二晶体管的第一端与所述功率器件的低压区供电电源正端连接，所述第二晶体管的第二端与功率器件的V相高压区电源正端连接；

第二电压判断电路，所述第二电压判断电路分别与所述第二晶体管的第一端和所述第二晶体管的第二端连接；

第三晶体管，所述第三晶体管的控制端与所述W相控制电路连接，所述第三晶体管的第一端与所述功率器件的低压区供电电源正端连接，所述第三晶体管的第二端与功率器件的W相高压区电源正端连接；

第三电压判断电路，所述第三电压判断电路分别与所述第三晶体管的第一端和所述第三晶体管的第二端连接；

第一上桥臂开关管至第三上桥臂开关管和第一下桥臂开关管至第三下桥臂开关管；

其中，所述第一上桥臂开关管的第一端与高压集成电路的U相高压区的输出端连接，所述第一上桥臂开关管的第二端与所述功率器件的高压输入端连接，所述第一上桥臂开关管的第三端与功率器件的U相高压区供电电源负端连接；

所述第二上桥臂开关管的第一端与所述高压集成电路的V相高压区的输出端连接，所述第二上桥臂开关管的第二端与所述功率器件的高压输入端连接，所述第二上桥臂开关管的第三端与功率器件的V相高压区供电电源负端连接；

所述第三上桥臂开关管的第一端与所述高压集成电路的W相高压区的输出端连接，所述第三上桥臂开关管的第二端与所述功率器件的高压输入端连接，所述第三上桥臂开关管的第三端与功率器件的W相高压区供电电源负端连接；

所述第一下桥臂开关管的第一端与高压集成电路的U相低压区的输出端连接，所述第一下桥臂开关管的第二端与所述功率器件的U相高压区供电电源负端连接，所述第一下桥臂开关管的第三端与功率器件的U相低电压参考端连接；

所述第二下桥臂开关管的第一端与高压集成电路的V相低压区的输出端连接，所述第二下桥臂开关管的第二端与所述功率器件的V相高压区供电电源负端连接，所述第二下桥臂开关管的第三端与功率器件的V相低电压参考端连接；

所述第三下桥臂开关管的第一端与高压集成电路的W相低压区的输出端连接，所述第三下桥臂开关管的第二端与所述功率器件的W相高压区供电电源负端连接，所述第三下桥臂开关管的第三端与功率器件的W相低电压参考端连接；

其中，所述第一电压判断电路用于当所述第一下桥臂导通，且所述第一晶体管的第二端的电压大于所述第一晶体管的第一端的电压时，控制所述U相控制电路关断所述第一晶体管；

所述第二电压判断电路用于当所述第二下桥臂导通，且所述第二晶体管的第二端的电压大于所述第二晶体管的第一端的电压时，控制所述V相控制电路关断所述第二晶体管；

所述第三电压判断电路用于当所述第三下桥臂导通，且所述第三晶体管的第二端的电压大于所述第三晶体管的第一端的电压时，控制所述W相控制电路关断所述第三晶体管。

2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管均为高压DMOS管。

3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第一晶体管的第一端的电压、所述第二晶体管的第一端的电压和所述第三晶体管的第一端的电压均为15V。

4.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，还包括：

第一电容、第二电容和第三电容；

其中，所述第一电容的第一端与所述功率器件的U相高压区供电电源正端连接，所述第一电容的第二端与所述功率器件的U相高压区供电电源负端连接；

所述第二电容的第一端与所述功率器件的V相高压区供电电源正端连接，所述第二电容的第二端与所述功率器件的V相高压区供电电源负端连接；

所述第三电容的第一端与所述功率器件的W相高压区供电电源正端连接，所述第三电容的第二端与所述功率器件的W相高压区供电电源负端连接。