[发明专利]一种半导体器件的分析方法

权利要求书

1.一种半导体器件的分析方法，用以分析制造HKMG鳍式场效应晶体管的多个工艺参数，其特征在于，所述分析方法包括：

将所述多个工艺参数两两为一组，构建多个工艺参数模型；

对每一个所述工艺参数模型进行敏感性分析；

基于所述敏感性分析的结果从所述多个工艺参数模型中提取多个关键工艺参数模型；以及

对所述多个关键工艺参数模型进行数据挖掘，以确定所述多个工艺参数中的多个关键工艺参数及其关联性；

基于所述多个关键工艺参数的分组以及工艺的先后确定源头工艺参数；以及

调整所述源头工艺参数，以优化后续的所述多个工艺参数；

其中，所述多个关键工艺参数包括底部鳍式片宽度、鳍式片高度、第一栅极侧墙厚度、第二栅极侧墙厚度、源漏极深度、源漏极举例、高K介质层厚度、栅极高度和/或栅极长度。

2.如权利要求1所述的分析方法，其特征在于，进行所述敏感性分析进一步包括：

计算每一个所述工艺参数模型的协方差；以及

基于所述协方差计算每一个所述工艺参数模型的相关系数。

3.如权利要求2所述的分析方法，其特征在于，提取所述多个关键工艺参数模型进一步包括：

提取所述多个工艺参数模型中相关系数的绝对值大于预设阈值的工艺参数模型为所述关键工艺参数模型。

4.如权利要求2所述的分析方法，其特征在于，进行所述数据挖掘进一步包括：

基于所述多个关键工艺参数模型的相关系数进行数据挖掘，以确定所述关键工艺参数之间的关联性。

5.如权利要求4所述的分析方法，其特征在于，基于所述多个关键工艺参数模型的相关系数进行数据挖掘进一步包括：

以所述多个关键工艺参数模型的相关系数为矩阵元建立所述多个关键工艺参数模型的相关系数矩阵；以及

基于所述相关系数矩阵确定所述关键工艺参数之间的关联性。

6.如权利要求5所述的分析方法，其特征在于，基于所述相关系数矩阵确定所述关键工艺参数及其关联性进一步包括：

基于所述相关系数矩阵进行凝聚层次聚类。

7.如权利要求5所述的分析方法，其特征在于，所述相关系数为皮尔逊相关系数，所述相关系数矩阵为皮尔逊相关系数矩阵。

8.如权利要求1所述的分析方法，其特征在于，构建所述多个工艺参数模型进一步包括：

获取每一个所述工艺参数的多个具体数值；以及

基于所述多个工艺参数以及各自对应的多个具体数值构建所述多个工艺参数模型。

9.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-8中任一项所述分析方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-8中任一项所述分析方法的步骤。