[发明专利]AlN双层薄膜的单电极水听器在审
| 申请号： | 201910250643.4 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109945966A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 薛晨阳;郑永秋;崔丹凤;赵龙;王强 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01H11/08 | 分类号： | G01H11/08 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源;武建云 |
| 地址： | 030051*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 声波信号 水听器 真空腔 单电极 生物传感技术 双层压电薄膜 信号检测电路 耐高温高压 声信号检测 压电水听器 薄膜表面 复杂工业 过程控制 极化电荷 声学耦合 双层薄膜 压电薄膜 压电材料 压电结构 压电效应 压电性能 成品率 金属钼 灵敏度 声阻抗 压电层 形变 检测 空腔 深海 薄膜 兼容 无毒 监测 外部 | ||
【权利要求书】：
1.一种AlN双层薄膜的单电极水听器，其特征在于：包括基底硅（1），所述基底硅（1）表面刻蚀出悬空腔结构后与SOI片键合，形成密封悬空腔（2）；所述SOI片刻蚀后剩余2.5μm埋氧层作为压电薄膜的衬底（6），所述衬底（6）上依次溅射50nm的AlN缓冲层（3）、100nm的下电极层（4）、1.0μm的AlN压电薄膜层（7）、0.5μm的SiO2掩膜层（5），开孔即依次刻蚀SiO2掩膜层（5）和AlN压电薄膜层（7）后引出下电极层（4），所述SiO2掩膜层（5）上溅射200nm上电极层（8）。
2.根据权利要求1所述的AlN双层薄膜的单电极水听器，其特征在于：所述下电极层（4）材料为Mo，所述上电极层（8）材料为Al。
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