[发明专利]半导体存储器元件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

有源区域和介于所述有源区域之间的沟渠隔离区域，所述有源区域中的每一者包括在第一方向延伸的长边；

埋入字线，其在第二方向延伸，所述埋入字线中的两者与所述有源区域中的每一者相交并将所述有源区域中的每一者分成位线接触区和两个单元接触区，其中所述第二方向不垂直于所述第一方向；

位线接触，其与所述位线接触区相邻；

存储节点接触，其与所述两个单元接触区中的每一者相邻，其中所述位线接触和所述存储节点接触基本上是共面的；以及

至少一个位线，其在第三方向延伸，其中所述至少一个位线和所述位线接触相邻。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述位线接触和所述存储节点接触中的每一者包括多晶硅。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述位线接触和所述存储节点接触中的每一者包括多晶硅和金属。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述位线接触包括位线接触插塞和金属插塞。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述位线接触插塞基本上完全覆盖所述位线接触区。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述存储节点接触包括单元接触插塞和金属插塞。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述单元接触插塞基本上完全覆盖所述单元接触区。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其进一步包括与所述单元接触区电连接的电容器。

9.一种半导体器件，其包括：

有源区域和介于所述有源区域之间的沟渠隔离区域，所述有源区域中的每一者包括在第一方向延伸的长边；

埋入字线，其在第二方向延伸，所述埋入字线中的两者与所述有源区域中的每一者相交并将所述有源区域中的每一者分成位线接触区和两个单元接触区，其中所述第二方向不垂直于所述第一方向；

位线接触，其与所述位线接触区相邻；

存储节点接触，其与所述两个单元接触区中的每一者的上表面和侧壁相邻；以及

至少一个位线，其在垂直于所述第二方向的第三方向延伸，其中所述至少一个位线与所述位线接触相邻。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述存储节点接触的侧壁与单元接触插塞的侧壁对齐。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述单元接触塞直接接触所述有源区域的侧壁。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述位线接触的侧壁与位线接触插塞的侧壁对齐。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述单元接触区位于所述有源区域的末端。

14.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述位线接触区位于所述埋入字线中的两者之间。

15.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述沟渠隔离区域的上表面相对于所述有源区域的上表面凹陷。