[发明专利]非易失性存储器装置及其中的编程方法

权利要求书

1.一种对包括多个单元串的非易失性存储器装置进行编程的方法，其中，所述多个单元串的第一单元串包括连接在位线和源线之间的第一串选择晶体管、第一多个存储器单元和第一接地选择晶体管，并且其中，所述多个单元串的第二单元串包括连接在所述位线和所述源线之间的第二串选择晶体管、第二多个存储器单元和第二接地选择晶体管，所述方法包括：

通过所述第一接地选择晶体管由所述源线的预充电电压对所述第一单元串的第一通道预充电，以及通过所述第二接地选择晶体管由所述源线的所述预充电电压对所述第二单元串的第二通道预充电；

在第N个编程循环的验证读取时间段期间，将导通电压施加到选择的单元串的选择的接地选择晶体管，所述选择的单元串包括所述第一单元串，所述选择的接地选择晶体管包括所述第一接地选择晶体管，其中，N为自然数；以及

在所述第N个编程循环的所述验证读取时间段完成之后，维持施加到所述选择的接地选择晶体管的所述导通电压而不恢复所述导通电压，以针对第(N+1)个编程循环对所述第一单元串的所述第一通道进一步预充电。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第N个编程循环的所述验证读取时间段期间，将截止电压施加到非选择的单元串的非选择的接地选择晶体管，所述非选择的单元串包括所述第二单元串，所述非选择的接地选择晶体管包括所述第二接地选择晶体管；以及

在完成所述第N个编程循环的所述验证读取时间段的时间点之后，将所述导通电压施加到所述非选择的接地选择晶体管以针对所述第(N+1)个编程循环对所述第二单元串的第二通道进一步预充电。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述第N个编程循环的读取恢复时间段和所述第(N+1)个编程循环的位线设置时间段期间，对所述第二通道进一步预充电。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第N个编程循环的所述验证读取时间段期间，将验证读取电压施加到多个字线中的选择的字线；

在所述第N个编程循环的所述验证读取时间段期间，将读取通过电压施加到所述多个字线中的非选择的字线；以及

在完成所述第N个编程循环的所述验证读取时间段之后，当所述非选择的字线在所述选择的字线下方时，维持施加到所述非选择的字线的所述读取通过电压而不恢复所述读取通过电压，以针对所述第(N+1)个编程循环对包括所述第一通道和所述第二通道的通道进一步预充电。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：

基于所述选择的字线的位置，改变恢复施加到所述选择的字线下方的所述非选择的字线的所述读取通过电压的时间点。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述选择的字线位于所述第一单元串上的下部位置时，恢复所述读取通过电压的所述时间点在时间上进一步提前。

7.根据权利要求4所述的方法，还包括：

在完成所述第N个编程循环的所述验证读取时间段之后，维持施加到所述选择的字线的所述验证读取电压而不恢复所述验证读取电压，以针对所述第(N+1)个编程循环对所述第一单元串的所述第一通道进一步预充电；以及

在完成所述第N个编程循环的所述验证读取时间段之后，当所述非选择的字线在所述选择的字线上方时，维持施加到所述非选择的字线的所述读取通过电压而不恢复所述读取通过电压，以针对所述第(N+1)个编程循环对所述第二单元串的所述第二通道进一步预充电。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第N个编程循环的所述验证读取时间段期间，将第一串导通电压施加到选择的串选择晶体管，所述选择的串选择晶体管包括所述选择的单元串的所述第一串选择晶体管；以及

在完成所述第N个编程循环的所述验证读取时间段之后，基于多个字线中的选择的字线的位置，抑制对施加到包括所述第二串选择晶体管的非选择的串选择晶体管的所述第一串导通电压的恢复，以针对所述第(N+1)个编程循环对所述第二单元串的第二通道进一步预充电。