[发明专利]一种带布拉格反射镜的非对称结构大功率激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910250940.9 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN111755947B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 刘飞;邓桃;王朝旺;郑兆河 | 申请（专利权）人： | 潍坊华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/187 | 分类号： | H01S5/187;H01S5/343 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 赵龙群 |
| 地址： | 261061 山东省潍坊市奎文区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 布拉格 反射 对称 结构 大功率 激光器 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种带布拉格反射镜的非对称结构大功率激光器，包括GaAs衬底，其特征在于，在GaAs衬底上包括由下至上依次沉积的GaAs缓冲层、Ga1-xInxP过渡层、Al1-xInxP下限制层、(Al1-xGax)yIn1-yP下波导层、Ga1-xInxP量子阱发光区、(Al1-xGax)yIn1-yP上波导层、Al1-xGaxAs布拉格反射层、Al1-xGaxAs上限制层和GaAs帽层；
所述(Al1-xGax)yIn1-yP下波导层的厚度大于所述(Al1-xGax)yIn1-yP上波导层的厚度；
其中，Ga1-xInxP过渡层中的0.45≤x≤0.55；Al1-xInxP下限制层中0.3≤x≤0.6；(Al1-xGax)yIn1-yP下波导层中0.4≤x≤0.6，0.4≤y≤0.6；Ga1-xInxP量子阱发光区中0.45≤x≤0.55；(Al1-xGax)yIn1-yP上波导层中0.4≤x≤0.6，0.4≤y≤0.6；Al1-xGaxAs布拉格反射层中0≤x≤0.55；Al1-xGaxAs上限制层中0.1≤x≤0.3。
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