[发明专利]基于薄膜集成无源器件工艺的小型化紧凑型双工器

权利要求书

1.基于薄膜集成无源器件工艺的小型化紧凑型双工器，其特征在于该基于薄膜集成无源器件工艺的小型化紧凑型双工器包括高通滤波器和低通滤波器，高通滤波器耦合到信号端口一P1和信号端口二P2，低通滤波器耦合到信号端口一P1和信号端口三P3，其中高通滤波器由二号电容C₂并联第一电容电感谐振电路组成，所述的第一电容电感谐振电路由一号电容C₁和一号电感L₁串联；其中低通滤波器由两个串联电感并联第二电容电感谐振电路组成，所述的两个串联电感由二号电感L₂和四号电感L₄串联，第二电容电感谐振电路由三号电容C₃和三号电感L₃串联；第一电容电感谐振电路和第二电容电感谐振电路均有一端接地，信号端口一P1、信号端口二P2信号端口三P3的负载阻抗均为Z₀，Z₀＝50Ω，C₁＝5.31pF，C₂＝2.15pF，C₃＝2.48pF，L₁＝7.31nH，L₂＝0.66nH，L₃＝3.0nH，L₄＝6.51nH；

该小型化紧凑型双工器通过薄膜集成无源器件工艺制成多层结构，该小型化紧凑型双工器的制备方法如下：

一、对基板表面进行清洗和抛光处理，得到洁净的基板；

二、采用等离子体增强化学气相沉积在洁净的基板上沉积第一SiNx层；

三、在第一SiNx层表面溅射沉积第一种子金属层，然后晶圆被光掩模遮蔽，使用光刻胶按照宽带小型化紧凑型双工器的电路结构形成底部金属的图形，通过电镀工艺形成底部金属层，底部金属层作为MIM电容器的底部金属和螺旋电感器的螺旋线金属，电镀后除去光刻胶以及去除光刻胶后暴露的第一种子金属层；

四、在底部金属层上再沉积第二SiNx层，第二SiNx层作为MIM电容器的介质层，通过反应离子刻蚀去除需要连接空气桥部分的第二SiNx层，在第二SiNx层上形成第二种子金属层；

五、在第二种子金属层上进行光刻工艺，第二种子金属层上电镀沉积顶部金属层，顶部金属层作为螺旋电感器的空气桥、馈电线和MIM电容器的顶部金属，然后除去光刻胶以及去除光刻胶后暴露的第二种子金属层，最后钝化处理，得到基于薄膜集成无源器件工艺的小型化紧凑型双工器。

2.根据权利要求1所述的基于薄膜集成无源器件工艺的小型化紧凑型双工器，其特征在于高通滤波器和低通滤波器中的电感元件为螺旋电感，高通滤波器和低通滤波器中的电容元件为MIM式电容。

3.根据权利要求1所述的基于薄膜集成无源器件工艺的小型化紧凑型双工器，其特征在于步骤一中基板的厚度为600μm～700μm。

4.根据权利要求1所述的基于薄膜集成无源器件工艺的小型化紧凑型双工器，其特征在于步骤一中基板的材质为玻璃、单晶硅、砷化镓、碳化硅或蓝宝石。

5.根据权利要求1所述的基于薄膜集成无源器件工艺的小型化紧凑型双工器，其特征在于步骤一中依次使用丙酮、异丙醇、去离子水清洗基板。

6.根据权利要求1所述的基于薄膜集成无源器件工艺的小型化紧凑型双工器，其特征在于步骤三中底部金属层的厚度为5μm。

7.根据权利要求1所述的基于薄膜集成无源器件工艺的小型化紧凑型双工器，其特征在于步骤五中所述的钝化处理是在顶部金属层上沉积第三SiNx层作为钝化层。