[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法

说明书

一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，修正方法包括：选择任意一条第一待补偿边作为第一处理边；根据偏移补偿函数，获取第一处理边中各位置处的第一初始补偿量，第一初始补偿量具有第一补偿最小值和第一补偿最大值；获取第一处理边的第一目标补偿量，第一处理边中各位置处的第一目标补偿量相同，第一目标补偿量大于等于第一补偿最小值且小于等于第一补偿最大值；重复选择任意一条第一待补偿边作为第一处理边、获取第一初始补偿量和第一目标补偿量的步骤，直至获取到所有第一待补偿边的第一目标补偿量；根据第一待补偿边和第一目标补偿量获取光刻补偿图形；对光刻补偿图形进行OPC修正，得到修正图形。所述方法提高了修正精度和修正效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法。

背景技术

为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。

为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(OPC：Optical ProximityCorrection)。光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型，根据光学邻近修正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近修正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。

然而，现有技术中光学邻近修正的修正精度和修正效率难以同时提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，以提高修正精度和修正效率。

为解决上述问题，本发明提供一种光学邻近修正方法，包括：提供目标光刻图形，所述目标光刻图形包括若干第一类型子光刻图形；将第一类型子光刻图形分割为若干第一特征图形，所述第一特征图形具有第一待补偿边；提供偏移补偿函数；选择任意一条第一待补偿边作为第一处理边；根据偏移补偿函数，获取第一处理边中各位置处的第一初始补偿量，第一处理边中各位置处的第一初始补偿量具有第一补偿最小值和第一补偿最大值；获取第一处理边的第一目标补偿量，第一处理边中各位置处的第一目标补偿量相同，第一目标补偿量大于等于第一补偿最小值且小于等于第一补偿最大值；重复选择任意一条第一待补偿边作为第一处理边、获取第一处理边中各位置处的第一初始补偿量、以及获取第一处理边的第一目标补偿量的步骤，直至获取到所有第一待补偿边的第一目标补偿量；根据第一待补偿边和第一待补偿边的第一目标补偿量，获取目标光刻图形对应的光刻补偿图形；对光刻补偿图形进行OPC修正，得到修正图形。

可选的，所述第一目标补偿量等于所述第一补偿最小值和所述第一补偿最大值的平均值。

可选的，所述第一目标补偿量等于所述第一补偿最小值。

可选的，所述第一目标补偿量等于所述第一补偿最大值。

可选的，各第一特征图形的形状包括矩形。