[发明专利]一种晶圆双面宏观观测装置及系统在审

专利信息
申请号: 201910252497.9 申请日: 2019-03-29
公开(公告)号: CN110082292A 公开(公告)日: 2019-08-02
发明(设计)人: 龚昱;詹翡纱;邱海洲 申请(专利权)人: 上海新创达智能科技有限公司
主分类号: G01N21/01 分类号: G01N21/01;G01N21/13;G01N21/84
代理公司: 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 代理人: 冯健强
地址: 201306 上海市浦东新区南汇*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 翻转盘 旋转盘 支撑板 晶圆 轴线方向转动 观测装置 开合机构 按压板 连接轴 种晶 观察 开口 方向设置 晶圆检测 驱动旋转 旋转机构 轴线垂直 盘转动 宏观 减小 压紧
【说明书】:

发明公开了一种晶圆双面宏观观测装置及系统,涉及晶圆检测技术领域。包括:基座,基座上设有第一支撑板和第二支撑板,第一支撑板与第二支撑板之间设有翻转盘,翻转盘通过连接轴连接于第一支撑板或第二支撑板上,翻转盘沿连接轴的轴线方向转动连接于第一支撑板与第二支撑板;翻转盘上设有旋转盘,旋转盘沿其轴线方向转动连接于翻转盘,旋转盘的轴线垂直于翻转盘的轴线,翻转盘上设有用于驱动旋转盘转动的旋转机构;旋转盘上设有开合机构,开合机构内设有用于将晶圆压紧于旋转盘的按压板,按压板沿旋转盘的周向方向设置于旋转盘上;翻转盘上开设有第一观察开口,旋转盘上开设有第二观察开口。减小了晶圆损坏的可能,增加了晶圆观察时的可靠性。

技术领域

本发明涉及晶圆检测技术领域,尤指一种晶圆双面宏观观测装置及系统。

背景技术

半导体行业的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管),Mosfet(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor,金氧半场效晶体管),以及麦克风器件,通常会使用超薄晶圆,对于特定器件,芯片厚度需要减薄到100-200μm,甚至到80μm。当晶圆磨到当前厚度后,后续的各项加工处理均较为困难,特别是对于8寸以上的大硅片,极易破碎,操作难度更大。

现有的晶圆宏观观测装置,通常采用真空吸附原理,例如真空吸附观测装置,由真空吸盘,旋转及翻转机构组成。通过真空吸盘吸附作用,将待观测晶圆置于吸盘上,再经由旋转及翻转机构运动,实现晶圆的宏观观测。

通常晶圆观察也能够通过边缘夹持型观测装置,通过多点沿晶圆径向夹持固定晶圆,再进行翻转与旋转运动。

但上述两种宏观观测装置针对薄化晶圆时,真空吸盘对薄化,翘曲晶圆吸附效果较差,进行翻转及旋转这些大范围的非晶圆面水平面运动,容易造成晶圆滑落,从而发生碎片。而且真空吸附本身需与晶圆面接触,容易造成晶圆污染;而边缘夹持装置,是沿晶圆径向夹持,对于薄化晶圆,其径向承载力极弱,因此,边缘径向夹持容易造成晶圆变形脱落,甚至破片。

上述两种晶圆宏观观测装置及晶圆固定方式,均对于超薄、高翘曲晶圆具有较大破坏性,晶圆观察时的可靠性较低。

发明内容

本发明的目的是提供一种晶圆双面宏观观测装置,晶圆的周向承载力较大,减小了固定晶圆时,晶圆损坏的可能,增加了晶圆观察时的可靠性。

本发明提供的技术方案如下:

一种晶圆双面宏观观测装置,包括:基座,所述基座上设有第一支撑板和第二支撑板,所述第一支撑板与所述第二支撑板之间设有翻转盘,所述翻转盘通过连接轴连接于所述第一支撑板或所述第二支撑板上,所述翻转盘沿所述连接轴的轴线方向转动连接于所述第一支撑板与所述第二支撑板;所述翻转盘上设有旋转盘,所述旋转盘沿其轴线方向转动连接于所述翻转盘,所述旋转盘的轴线垂直于所述翻转盘的轴线,所述翻转盘上设有用于驱动所述旋转盘转动的旋转机构;所述旋转盘上设有开合机构,所述开合机构内设有用于将晶圆压紧于所述旋转盘的按压板,所述按压板沿所述旋转盘的周向方向设置于所述旋转盘上;所述翻转盘上开设有第一观察开口,所述旋转盘上开设有第二观察开口。

本技术方案中,通过沿旋转盘轴线方向设置的按压板的设置,晶圆能够沿周向夹持,晶圆的周向承载力较大,减小了固定晶圆时,晶圆损坏的可能,增加了晶圆观察时的可靠性;同时翻转盘上的第一观察开口,与旋转盘上第二观察开关的设置,便于用户从晶圆的背面观测晶圆,继而实现以晶圆的各个角度的观测,增加了用户的体验度。

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