[发明专利]一种直拉硅芯原料棒的熔接工艺在审

专利信息
申请号: 201910252531.2 申请日: 2019-03-29
公开(公告)号: CN109837584A 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 罗晓斌;杨旭彪;辛玉龙;董皓 申请(专利权)人: 山西潞安太阳能科技有限责任公司
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B29/06
代理公司: 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 代理人: 李富元
地址: 046000 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 回熔 功率增加 原料棒 等径 硅芯 熔接 直拉 单晶硅芯 多晶硅 晶棒 芯棒 突变 功率控制 手动控制 硅芯棒 发现
【权利要求书】:

1.一种直拉硅芯原料棒的熔接工艺,其特征在于:当发现存在单晶硅芯棒断棱、多晶硅芯棒提断、晶棒直径突变三种中任意一种情况时,进入回熔阶段,在回熔阶段中,采用功率控制,并且采用手动控制,当发生单晶硅芯棒断棱时,将功率增加至等径功率+35kw,回熔长度在硅芯棒直径+20mm以上,当发生多晶硅芯棒提断时,将功率增加至等径功率+35kw,回熔长度大于80mm,当发生晶棒直径突变时,将功率增加至等径功率+35kw,回熔长度是将直径异常部分回熔完并且整体回熔长度大于等于80mm;回熔完毕后进入稳温阶段,在稳温阶段直拉单晶炉由功率控制切换为温度控制,设定温度为等径温度+20℃,稳温2个小时,确保熔液内及熔液表面形成相对稳定的热对流环境,利于拉晶;稳温阶段结束后进入接棒阶段,把硅棒浸入硅液,开始接棒,前期为0.2-0.7mm/min低拉速生长,根据固液面光圈情况及时调节晶升、埚升及温度参数,等长晶长度大于50mm、晶体生长情况趋于稳定后由手动状态切换为自动等径状态。

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