[发明专利]基于薄膜集成无源器件工艺的宽带小型化威尔金森功分器及其制备方法

权利要求书

1.基于薄膜集成无源器件工艺的宽带小型化威尔金森功分器的制备方法，该基于薄膜集成无源器件工艺的宽带小型化威尔金森功分器包括输入端口port1、一号输出端口port2、二号输出端口port3、两个RC滤波器和四个传输线等效组件，该宽带小型化威尔金森功分器的电路是在输入端口port1与一号输出端口port2之间通过依次串联的第一RC滤波器、一号传输线等效组件、二号传输线等效组件相连接，其中一号传输线等效组件是由一号电感L₁、一号电容C₁和二号电容C₂组成π型电路，一号电容C₁的一端与一号电感L₁相连，一号电容C₁的另一端接地，二号电容C₂的一端与一号电感L₁相连，二号电容C₂的另一端接地；二号传输线等效组件由三号电感L₃、五号电容C₅和六号电容C₆组成π型电路，五号电容C₅的一端与三号电感L₃相连，五号电容C₅的另一端接地，六号电容C₆的一端与三号电感L₃相连，六号电容C₆的另一端接地；

所述的输入端口port1与二号输出端口port3之间通过依次串联的第二RC滤波器、三号传输线等效组件、四号传输线等效组件相连接，其中三号传输线等效组件是由二号电感L₂、三号电容C₃和四号电容C₄组成π型电路，三号电容C₃的一端与二号电感L₂相连，三号电容C₃的另一端接地，四号电容C₄的一端与二号电感L₂相连，四号电容C₄的另一端接地；四号传输线等效组件是由四号电感L₄、七号电容C₇和八号电容C₈组成π型电路，七号电容C₇的一端与四号电感L₄相连，七号电容C₇的另一端接地，八号电容C₈的一端与四号电感L₄相连，八号电容C₈的另一端接地；

一号传输线等效组件和二号传输线等效组件之间有第一节点a，二号传输线等效组件与一号输出端口port2之间有第三节点c，三号传输线等效组件和四号传输线等效组件之间有第二节点b，四号传输线等效组件与二号输出端口port3之间有第四节点d，第一节点a与第二节点b之间设置有第一隔直电阻R₁，第三节点c与第四节点d之间设置有第二隔直电阻R₂；

该宽带小型化威尔金森功分器通过薄膜集成无源器件工艺制成多层结构；其特征在于该制备方法按下列步骤实现：

一、对基板表面进行清洗和抛光处理，得到洁净的基板(a)；

二、采用化学气相沉积在洁净的基板表面沉积第一SiNx层(b)；

三、按照宽带小型化威尔金森功分器的电路结构在第一SiNx层(b)表面沉积NiCr层，通过光刻工艺获得薄膜电阻器，通过溅射形成第一种子金属层(h)后，用光致抗蚀剂刻蚀晶元以获得底部金属层的结构，再通过电子束蒸发形成底部金属层(c)，底部金属层(c)作为电阻器的焊盘，MIM电容器的底部金属和螺旋电感器；

四、在底部金属层上再沉积第二SiNx层(d)，第二SiNx层(d)作为电容的介质层，采用反应离子蚀刻去除电阻、电容、电感端口及需要连接空气桥部分的第二SiNx层(d)，形成第二种子金属层(e)后沉积用于空气桥的光刻胶；

五、在第二种子金属层(e)上沉积顶部金属层(f)，顶部金属层(f)作为螺旋电感器的空气桥和MIM电容器的顶部金属，再通过反应离子蚀刻制成空气桥，钝化处理后得到基于薄膜集成无源器件工艺的宽带小型化威尔金森功分器。

2.根据权利要求1所述的基于薄膜集成无源器件工艺的宽带小型化威尔金森功分器的制备方法，其特征在于步骤一中基板(a)的厚度为600μm～700μm。