[发明专利]晶圆清洗方法及光刻胶图案化方法

权利要求书

1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：

将待清洗晶圆放置在承载单元上，所述待清洗晶圆表面具有光刻胶残留和/或刻蚀反应物；

所述承载单元旋转带动所述待清洗晶圆旋转；

摩擦所述待清洗晶圆表面，与向所述待清洗晶圆表面喷射第一清洗试剂，两步骤同时或交替进行。

2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，利用清洗刷摩擦所述待清洗晶圆。

3.根据权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述清洗刷的与所述待清洗晶圆发生摩擦时，所述待清洗晶圆的旋转速度为200rpm-2000rpm。

4.根据权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述清洗刷与所述待清洗晶圆表面产生的摩擦力为50PSI-210PSI。

5.根据权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述清洗刷自所述待清洗晶圆表面的中央区域至所述待清洗晶圆表面的边缘之间往返移动。

6.根据权利要求5所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述清洗刷在往返移动的同时保持自转，所述清洗刷的自转方向与所述待清洗晶圆的旋转方向相反。

7.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，喷射所述第一清洗试剂的流量为0.5L/min-2L/min。

8.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第一清洗试剂包括异丙醇溶液。

9.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗刷与所述待清洗晶圆表面发生摩擦之前，还包括：对所述待清洗晶圆表面上的光刻胶残留和/或刻蚀反应物颗粒进行软化处理。

10.根据权利要求9所述的清洗方法，其特征在于，通过向所述待清洗晶圆表面喷洒第二清洗试剂以进行软化处理。

11.根据权利要求10所述的清洗方法，其特征在于，所述第二清洗试剂与所述第一清洗试剂相同。

12.根据权利要求11所述的清洗方法，其特征在于，向所述待清洗晶圆表面喷洒第二清洗试剂时所述待清洗晶圆的旋转速度为300rpm-400rpm。

13.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗刷与所述待清洗晶圆发生摩擦之后还包括，对所述清洗刷的清洗。

14.根据权利要求13所述的清洗方法，其特征在于，其特征在于，所述清洗刷的清洗过程包括：

移动所述清洗刷；

摩擦去除所述清洗刷上残留物；

喷射第三清洗试剂冲洗所述清洗刷；

喷射气体干燥所述清洗刷。

15.根据权利要求14所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述清洗刷在被冲洗和/或被干燥时保持自转。

16.一种光刻胶图案化的方法，其特征在于，包括：

在晶圆上覆盖光刻胶；

对光刻胶图案化处理；

采用如权利要求书1-15中任一项所述的晶圆清洗方法去除光刻胶残留和/或刻蚀反应物。

17.根据权利要求16所述的光刻胶图案化的方法，其特征在于，光刻胶图案化后，去除光刻胶残留和/或刻蚀反应物前，还包括干法去除光刻胶步骤。