[发明专利]快闪存储器控制器在审

专利信息
申请号: 201910256211.4 申请日: 2019-04-01
公开(公告)号: CN109992525A 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 黄识夫;陈政宇 申请(专利权)人: 合肥沛睿微电子股份有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G11C16/10;G11C16/26
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 李有财;南霆
地址: 230012 安徽省合肥市新站区文*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 快闪存储器控制器 数据编程 温度侦测 电路 快闪存储器 传输接口 温度超过 写入 产生控制信号 数据可靠度 储存区块 处理电路 控制信号 复数 侦测 耦接 编程 储存
【权利要求书】:

1.一种快闪存储器控制器(120),其特征在于,包含:

传输接口(140),设置成接收待写入快闪存储器(130)的数据;

温度侦测电路(121),设置成可侦测环境温度,当所述环境温度超过预定温度范围时,所述温度侦测电路(121)可产生控制信号(Sc);以及

处理电路(122),耦接于所述传输接口(140)及所述温度侦测电路(121),设置成可依据所述控制信号(Sc)来选择复数个数据编程模式中的一个数据编程模式来将数据写入所述快闪存储器(130)中的第一储存区块。

2.如权利要求1所述的快闪存储器控制器(120),其特征在于,当所述环境温度落在所述预定温度范围内时,所述处理电路(122)另利用一个预定数据编程模式来将所述数据写入所述快闪存储器(130)中的第二储存区块,其中所述第一储存区块的第一储存单元以第一位数为储存单位,所述第二储存区块的第二储存单元以第二位数为储存单位,以及所述第二位数大于所述第一位数。

3.如权利要求2所述的快闪存储器控制器(120),其特征在于,所述第二储存单元为四阶储存单元(Quad-level cells,QLC),所述第一储存单元为单阶储存单元(Single-levelcells,SLC)、虚拟的多阶储存单元(Pseudo-Multi-level cells,pMLC)及虚拟的三阶储存单元(Pseudo-Triple-level cells,pTLC)中的一种。

4.如权利要求3所述的快闪存储器控制器(120),其特征在于,当所述环境温度落在超过所述预定温度范围之外的第一温度区间时,所述处理电路(122)选择复数个数据编程模式中的第一数据编程模式来将数据写入所述第一储存单元为所述三阶储存单元的所述第一储存区块中;当所述环境温度落在超过所述预定温度范围之外的第二温度区间时,所述处理电路(122)选择复数个数据编程模式中的第二数据编程模式来将数据写入所述第一储存单元为所述多阶储存单元的所述第一储存区块中;当所述环境温度落在超过所述预定温度范围之外的第三温度区间时,所述处理电路(122)选择复数个数据编程模式中的第三数据编程模式来将数据写入所述第一储存单元为所述单阶储存单元的所述第一储存区块中;所述第三温度区间不同于所述第二温度区间,以及所述第二温度区间不同于所述第一温度区间。

5.如权利要求4所述的快闪存储器控制器(120),其特征在于,所述第一数据编程模式是虚拟的三位数据编程模式,所述第二数据编程模式是虚拟的二位数据编程模式及所述第三数据编程模式是一位数据编程模式。

6.如权利要求1所述的快闪存储器控制器(120),其特征在于,另包含:

电源管理电路(110),耦接于所述温度侦测电路(121)及所述处理电路(122),设置成可分别提供第一电源(P3)及第二电源(P4)至所述温度侦测电路(121)及所述处理电路(122)。

7.如权利要求1所述的快闪存储器控制器(120),其特征在于,所述温度侦测电路(121)包含:

温度侦测单元(123),设置成侦测所述快闪存储器控制器(120)所在的所述环境温度;以及

控制单元(124),耦接于所述温度侦测单元(123),设置成可判断所述环境温度是否超过所述预定温度范围,当所述环境温度超过所述预定温度范围时,所述控制单元(124)产生所述控制信号(Sc)至所述处理电路(122)。

8.如权利要求1所述的快闪存储器控制器(120),其特征在于,当所述环境温度超过所述预定温度范围时,所述处理电路(122)另依据所述控制信号(Sc)来将储存在所述快闪存储器(130)中的第二储存区块的数据重新储存在所述快闪存储器(130)中的所述第一储存区块,其中,所述第一储存区块的第一储存单元是以第一位数为储存单位,所述第二储存区块的第二储存单元是以第二位数为储存单位,以及所述第二位数是大于所述第一位数。

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