[发明专利]微机电传感器封装结构及制造方法在审
申请号: | 201910256369.1 | 申请日: | 2019-04-01 |
公开(公告)号: | CN109850839A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 万蔡辛 | 申请(专利权)人: | 武汉耐普登科技有限公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81C3/00 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;刘静 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一基板 微机电传感器 封装结构 壳体 通孔 第二基板 芯片 空腔 产品良率 生产产品 生产效率 芯片位置 工艺流程 电连接 金属线 整板 生产成本 制造 生产 申请 | ||
1.一种微机电传感器封装结构,其特征在于,包括:
第一基板;
第二基板,所述第二基板设置在所述第一基板的一侧;
壳体,所述壳体设置在所述第一基板的另一侧,所述壳体与所述第一基板之间形成空腔;
芯片,所述芯片设置在所述壳体内侧,位于所述空腔内,并经由金属线与所述第一基板电连接;
其中,所述第一基板上设置有第一通孔,所述第一通孔的面积大于所述芯片的面积,所述第一通孔的位置与所述芯片位置相对应。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述芯片包括MEMS芯片和ASIC芯片,所述MEMS芯片、ASIC芯片以及第一基板通过所述金属线电连接。
3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述壳体设置有第二通孔,所述第二通孔位于所述MEMS芯片内侧。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一基板中第一通孔的侧面及所述第一基板一侧的至少部分区域设置有第一金属层,所述第一基板的另一侧设置有第二金属层。
5.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,所述第二基板与所述第一基板相邻一侧的至少部分区域设置有第三金属层。
6.根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,所述第一金属层的部分区域设置有第一阻焊层,所述第三金属层的部分区域设置有第二阻焊层,至少部分所述第二阻焊层的位置与所述第一阻焊层的位置相对应。
7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述第一阻焊层与第二阻焊层以及第三金属层的厚度之和,不小于所述金属线的线弧高度。
8.一种微机电传感器封装结构的制造方法,其特征在于,包括:
将多个壳体与第一基板相连;
在所述多个壳体上分别贴装芯片;
将所述芯片与所述第一基板电连接;
将第二基板与所述第一基板相连,形成半成品;
对半成品进行切割分离,以获取多个独立的微机电传感器封装结构;
其中,所述第一基板与所述壳体之间形成空腔,所述芯片位于所述空腔中,所述第一基板与所述第二基板相对应,所述第一基板与所述第二基板均包括多个微机电传感器单元。
9.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述芯片包括MEMS芯片和ASIC芯片,采用表面贴装技术设置在所述壳体上,所述MEMS芯片、所述ASIC芯片以及所述第一基板之间通过金属线相连接。
10.根据权利要求9所述的制造方法,其特征在于,所述第一基板与所述第二基板相邻一侧的部分区域设置有第一金属层,所述第一金属层的部分区域设置有第一阻焊层;所述第二基板与所述第一基板相邻的一侧设置有第三金属层,所述第三金属层的部分区域设置有第二阻焊层;所述第一阻焊层与第二阻焊层以及第三金属层的厚度之和,不小于所述金属线的线弧高度。
11.根据权利要求10所述的制造方法,其特征在于,所述壳体与所述第一基板之间、所述第一基板与所述第二基板之间通过连接材料相连接,所述连接材料包括锡膏、导电胶、绝缘胶中的至少一种。
12.根据权利要求11所述的制造方法,其特征在于,按需要决定是否使用导电的连接材料,在完成机械连接的同时设置电气连接。
13.根据权利要求11所述的制造方法,其特征在于,所述第一基板与所述第二基板通过单次压合对位的方式相连接,以减少误差。
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