[发明专利]量子级联激光器在审
申请号: | 201910256638.4 | 申请日: | 2019-04-01 |
公开(公告)号: | CN110350396A | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 桥本顺一 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/042 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李兰;孙志湧 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 台面 半导体台面 量子级联激光器 高比电阻 比电阻 导电半导体 激光器结构 第一电极 宽度变化 边界处 第一轴 支撑基 半导体 | ||
一种量子级联激光器,包括:激光器结构,包括第一端面和第二端面、半导体台面和支撑基底,第一端面和第二端面在第一轴的方向上排列,半导体台面具有布置在第一端面和第二端面之间的第一台面部分和第二台面部分;以及,半导体台面上的第一电极。半导体台面在第一台面部分和第二台面部分之间的边界处具有第一台面宽度,以及具有在第二台面部分的端部处具有小于第一台面宽度的第二台面宽度,并且在从边界到第二端面的方向上具有从第一台面宽度变化的宽度。第二台面部分包括高比电阻区,该高比电阻区具有比包括在第一台面部分和第二台面部分中的导电半导体区的比电阻高的比电阻。
技术领域
本发明涉及量子级联激光器。本申请要求2018年4月3日提交的申请号为No.2018-071695的日本专利的优先权,该申请通过引用整体并入本文。
背景技术
称为非专利文献1的Thierry Aellen、Stephane Blaser、Mattias Beck、DanielHofstetter和Jerome Faist的“Continuous-wave distributed-feedback quantum-cascade laser on Peltier cooler(珀耳帖冷却器上的连续波分布反馈量子级联激光器)”,Applied Physics Letters,83(10),第1929-1931页,2003年10月公开了量子级联激光器。
发明内容
根据本实施例的一个方面的量子级联激光器包括:激光器结构,其包括第一端面、第二端面、半导体台面和支撑基底,该第一端面和该第二端面在第一轴的方向上排列,该半导体台面具有第一台面部分和第二台面部分,该支撑基底安装所述半导体台面;以及,设置在半导体台面上的第一电极。第一台面部分从第一端面延伸。第一台面部分和第二台面部分布置在第一端面和第二端面之间。第二台面部分具有端部。半导体台面在第一台面部分和第二台面部分之间的边界处具有第一台面宽度。第二台面部分在第二台面部分的端部处具有第二台面宽度。第二台面宽度小于第一台面宽度。第二台面部分在从边界到第二端面的方向上具有从第一台面宽度变化的宽度。半导体台面包括导电半导体区和核心层。导电半导体区和核心层从第一端面延伸超过边界。第二台面部分包括高比电阻区,该高比电阻区具有比导电半导体区的比电阻高的比电阻。
附图说明
通过参考附图进行的本发明优选实施例的以下详细描述,本发明的上述目的和其他目的、特征和优点变得更加明显。
图1是示出根据实施例的示例的量子级联激光器的示意图。
图2A是沿图1中所示的线IIa-IIa截取的示意性横截面图。
图2B是沿图1中所示的线IIb-IIb截取的示意性横截面图。
图2C是沿图1中所示的线IIc-IIc截取的示意性横截面图。
图2D是沿图1中所示的线IId-IId截取的示意性横截面图。
图3A是示出量子级联激光器DV和CV的横向近场模式的图。
图3B是示出量子级联激光器DV和CV的垂直近场模式的图。
图3C是示出量子级联激光器DV和CV的横向远场模式的图。
图3D是示出量子级联激光器DV和CV的垂直远场模式的图。
图4A是示出包括通过透镜彼此光学耦合的量子级联激光器和光波导结构的光学设备的示意图。
图4B是示出包括彼此光学耦合的量子级联激光器和光波导结构的光学设备的示意图。
图5A是示出根据实施例的示例的制造量子级联激光器的方法中的主要步骤的示意性横截面图。
图5B是示出根据实施例的示例的方法中的主要步骤的示意性横截面图。
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