[发明专利]半导体模块以及半导体模块的制造方法

说明书

能够提供一种避免了由于焊料的过度的浸润而产生的不良状况的高质量的半导体模块以及半导体模块的制造方法。半导体模块具备：金属板(2)；设置于金属板(2)之上的焊料(3)；搭载于焊料(3)之上的接合对象部件(半导体芯片(4))；以及3条引导部(2a1～2a3)，其呈线状地设置于金属板(2)的上表面上且接合对象部件(半导体芯片(4))的周围。3条引导部(2a1～2a3)具有与周边区域相比表面粗糙度大的金属表面。

技术领域

本发明涉及一种半导体模块以及半导体模块的制造方法。

背景技术

在半导体模块中，存在以下情况：在将半导体芯片、连接端子等焊接在金属箔上时，由于加热等而被提高了流动性的焊料向周围过度地浸润，由此引起对线接合(wirebonding)区域的干扰等不良状况。作为防止焊料的浸润的技术，在专利文献1中公开了以下技术：向铜覆膜的上表面且用于焊接半导体芯片的区域的周围照射激光，通过铜氧化膜来形成从铜覆膜的上表面隆起的台阶。在专利文献1的情况下，通过所形成的台阶来挡住在焊接时发生流动的焊料。

另外，在专利文献2中公开了以下技术：在金属电路层的上表面上且半导体芯片与超声波金属连接区域之间，设置在内侧埋入有氧化铜、镍氧化物等的线状的槽，在该槽的内侧埋入金属氧化物。在专利文献2的情况下，通过金属氧化物的表面来实现了焊料的流动防止。另外，在专利文献2中公开了以下意思：氧化铜、镍氧化物的表面是微细的粗糙形状，因此通过铜、镍的表面能够防止熔融的焊料的流动。

但是，本发明人的讨论结果是判明了：在如专利文献1和专利文献2那样使用氧化膜或者氧化物的技术中，存在未必能够有效地防止焊料的浸润的情况。

专利文献1：日本特开平08-31848号公报

专利文献2：日本特开2013-247256号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明着眼于上述的问题，是作为与以往的使用氧化膜等的技术不同的新的解决方法而完成的，目的在于提供一种避免了由于焊料的过度的浸润而产生的不良状况的高质量的半导体模块。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，本发明所涉及的半导体模块的某个方式的主旨在于，具备：金属板；设置于金属板之上的焊料；搭载于焊料之上的接合对象部件；以及引导部，其呈线状地设置于金属板的上表面上且接合对象部件的周围，具有与周边区域相比表面粗糙度大的金属表面。

另外，本发明所涉及的半导体模块的制造方法的某个方式的主旨在于，包括以下工序：向金属板的上表面上的焊料配置预定区域的周围照射激光，来呈线状地形成具有与周边区域相比表面粗糙度大的金属表面的引导部；在焊料配置预定区域配置焊料；在所配置的焊料之上搭载要与焊料接合的接合对象部件；阻止焊料与引导部之间的界面处的氧化膜的形成；以及在引导部的表面上捕获从接合对象部件侧向外侧流动的焊料并将该焊料沿引导部的延伸方向引导。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种避免了由于焊料的过度的浸润而产生的不良状况的高质量的半导体模块。

附图说明

图1是将本发明的第一实施方式所涉及的半导体模块的结构的概要以切去一部分的方式示意性地进行说明的立体图(鸟瞰图)。

图2是示意性地说明第一实施方式所涉及的半导体模块的结构的概要的俯视图。

图3是从图2中的A-A线方向观察的截面图。

图4是示意性地说明第一实施方式所涉及的半导体模块的制造方法的概要的工序俯视图(其1)。