[发明专利]控制半导体晶圆片表面形貌的方法和半导体晶片

权利要求书

1.一种控制半导体晶圆片表面形貌的方法，其特征在于，包括：

对半导体晶圆片的正面进行单面减薄处理，以便使得所述正面形成由中心至边缘逐渐变薄的凸面；

对经过所述单面减薄处理的半导体晶圆片两个表面依次进行粗抛处理、中抛处理和精抛处理，以便得到半导体晶片，

其中，所述单面减薄处理采用的单面减薄机的工作台上A点位置为-1μm～-3μm；B点位置为-7μm～-9μm，所述单面减薄处理采用粒度为0.5-1μm的砂轮，所述砂轮进给速度0.1-1微米/秒，所述砂轮的转速为1000-3000rpm，所述工作台的转速为100-300rpm之间，所述凸面的中心高度为3-5μm，所述凸面的表面损伤层低于0.2μm，所述半导体晶片的总厚度偏差小于1μm。

2.一种半导体晶片，其特征在于，所述半导体晶片采用权利要求1所述的方法处理得到。