[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底以及多个分立于所述衬底上的鳍部，所述衬底包括相邻的隔离区和器件区，所述隔离区中的所述鳍部为伪鳍部，所述器件区中的所述鳍部为器件鳍部；

在所述鳍部的侧壁和顶部上形成保护层；

形成所述保护层后，在所述衬底上形成覆盖所述保护层的遮挡层，所述遮挡层中形成有露出所述伪鳍部的初始开口；

去除所述遮挡层露出的所述伪鳍部；

去除所述伪鳍部后，对所述初始开口的侧壁进行刻蚀，形成开口，所述开口露出所述隔离区的衬底、以及所述器件区中靠近隔离区的器件鳍部与所述隔离区之间的衬底，所述遮挡层的被刻蚀难度小于所述保护层的被刻蚀难度。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述遮挡层的步骤包括：采用旋涂工艺形成覆盖所述衬底和鳍部的遮挡材料层；刻蚀所述遮挡材料层形成露出所述伪鳍部的所述遮挡层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述遮挡材料层，形成所述遮挡层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向同性干法刻蚀工艺对所述初始开口的侧壁进行刻蚀，形成所述开口。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述各向同性干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括O₂、CO和CO₂中的一种或多种。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述各向同性干法刻蚀的工艺参数包括：刻蚀气体包括O₂，O₂的气体流量为50sccm至500sccm。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成遮挡层的步骤中，所述遮挡层顶面至所述鳍部顶面的距离20纳米至80纳米。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤中，所述保护层保形覆盖所述鳍部以及所述鳍部露出的衬底；

去除所述遮挡层露出的所述伪鳍部之前，还包括：去除所述遮挡层露出的所述保护层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或者化学气相沉积工艺形成所述保护层。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括氧化硅。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为5纳米至10纳米。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述开口后，还包括：以所述遮挡层为掩膜刻蚀所述开口露出的所述衬底，在所述衬底中形成凹槽；

在所述凹槽和开口中形成隔离材料层；

对所述隔离材料层和遮挡层进行回刻蚀，剩余的所述隔离材料层和遮挡层构成覆盖所述器件鳍部部分侧壁的隔离层。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述开口后，以所述遮挡层为掩膜刻蚀所述衬底前，还包括：对所述遮挡层进行硬化处理，所述硬化处理用于提高所述遮挡层的耐刻蚀度。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述遮挡层的步骤中，所述遮挡层的材料为倍半氧硅氢化物；

对所述遮挡层进行硬化处理的步骤包括：对所述遮挡层进行电子束固化处理；

经过所述电子束固化处理的遮挡层的材料包括氧化硅。