[发明专利]一种钛酸锶钡基介质陶瓷材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 201910258238.7 | 申请日: | 2019-04-01 |
公开(公告)号: | CN111763082B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 陈莹;董显林;李鑫;江峰;王勇坚 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/453 | 分类号: | C04B35/453;C04B35/468;C04B35/622;C04B35/626;C04B41/88 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钛酸锶钡基 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种高介电常数、高耐电强度、高介电性能稳定的钛酸锶钡基介质陶瓷材料,其特征在于,所述钛酸锶钡基介质陶瓷材料的组成配方包括:aBaTiO3+bSrTiO3+cTiO2+dBiO5+eMgO+fAl2O3+gCaO+hSiO2,其中a、b、c、d、e、f、g、h为各组分的摩尔百分比,20≤a≤50mol%,15≤b≤30mol%,10≤c≤20mol%,0<d≤10mol%,0<e≤35mol%,0≤f≤6mol%,0<g≤6mol%,0<h≤1mol%,且a+b+c+d+e+f+g+h =100 mol%;
当厚度=0.38mm,所述钛酸锶钡基介质陶瓷材料的耐电强度为38~52 kV/mm,在1kHz且25℃的条件下介电常数为800~2000之间,在1kHz且25℃的条件下介电损耗<0.003,660kV/cm下有效储能密度高达8.6 J/cm3。
2.根据权利要求1所述的钛酸锶钡基介质陶瓷材料,其特征在于,所述钛酸锶钡基介质陶瓷材料的介电常数在0℃~40℃之间随温度的变化率≤7%,100℃下直流电阻率高达1012Ω.cm以上。
3.一种如权利要求1或2所述的钛酸锶钡基介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括:
按照化学组成称Ti源、Ba源、Sr源、Bi源、Mg源、Ca源、Al源和Si源,混合并进行预烧,得到混合粉体;所述预烧的温度为1000℃~1150℃,时间为2~12小时;
将粘结剂加入所得混合粉体中后喷雾造粒,并压制成型,得到生坯;
将所得生坯在1220~1300℃下进行烧结,得到所述高介电常数、高耐电强度钛酸锶钡基介质陶瓷材料。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述Ti源为TiO2、C16H36O4Ti、C12H28O4Ti、SrTiO3、BaTiO3、TiCl4中的至少一种;所述Ba源为BaO、BaCO3、C4H6BaO4、Ba(NO3)2和BaTiO3中的至少一种;所述Sr源为SrO、SrCO3、C4H6SrO4、Sr(NO3)2和SrTiO3中的至少一种;所述Bi源为Bi2O3、BiCl3、Bi(OH)3、Bi5(OH)9 (NO3)4中的至少一种;所述Mg源为MgO、MgCO3、C4H6MgO4和MgTiO3中的至少一种;所述Ca源为CaO、CaCO3、C4CaH6O4·H2O和CaTiO3中的至少一种;所述Al源为Al2O3、Al(NO3)3、Al(OH)C4H6O4中的至少一种;所述Si源为SiO2、(C2H5O)4Si、C16H36O4Si中的至少一种。
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