[发明专利]一种制备双层陶瓷层的方法

权利要求书

1.一种制备双层陶瓷层的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)喷涂前，清洗零件，清洗掉残留的机加屑渣及油污；将不要陶瓷层的区域进行遮挡保护；

(2)用原子层沉积的方法沉积一层氧化钇或以钇为基础的陶瓷薄膜；

(3)再用大气等离子喷涂技术或悬浮液喷涂技术，喷涂一层氧化钇或以钇为基础的陶瓷涂层；

(4)喷涂后，测量陶瓷层厚度，将遮蔽保护去掉，清洗零件，保证零件高洁净度。

2.如权利要求1所述的一种制备双层陶瓷层的方法，其特征在于，所述步骤(1)的清洗可采用化学清洗或者超声波清洗的方法，保证零件干净、干燥；采用软方法遮挡保护，或者遮蔽模块硬方法。

3.如权利要求1所述的一种制备双层陶瓷层的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，用原子层沉积制备氧化钇或以钇为基础的陶瓷薄膜，其厚度小于1μm。

4.如权利要求1所述的一种制备双层陶瓷层的方法，其特征在于，所述步骤(3)中的大气等离子喷涂技术或悬浮液喷涂技术，可以是大气等离子喷涂技术，可以是大气等离子喷涂结合悬浮液技术；也可以是超音速火焰喷涂结合悬浮液技术。

5.如权利要求1所述的一种制备双层陶瓷层的方法，其特征在于，所述步骤(4)中，喷涂后，要测量陶瓷层厚度，保证零部件各个部位的陶瓷层厚度均匀，然后去除遮蔽保护，清洗零件。

6.如权利要求1所述的一种制备双层陶瓷层的方法，其特征在于，陶瓷层综合性能良好，该陶瓷层可以用于半导体设备上对零件的耐腐蚀性有要求的关键零部件，还能应用于对耐腐蚀性有要求的领域的部件。