[发明专利]一种金属柱制作方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201910259350.2 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN110120351A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 黄光伟;李立中;林伟铭;马跃辉;吴靖;庄永淳 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;林祥翔 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光阻 金属柱 制作 第一层 缓冲层 耐蚀 蚀刻 连接金属 去除 非等向性蚀刻 半导体器件 铜柱 半导体器件表面 金属柱连接 侧壁垂直 间距一致 曝光显影 通孔内壁 通孔 遮挡 垂直 保证 | ||
1.一种金属柱制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在具有连接金属的半导体器件表面制作第一层光阻，所述连接金属用于与金属柱连接；
在第一层光阻上面制作耐蚀刻缓冲层；
在耐蚀刻缓冲层上面制作第二层光阻；
在第二层光阻上曝光显影，去除待制作金属柱位置的第二层光阻；
去除待制作金属柱位置的耐蚀刻缓冲层；
采用非等向性蚀刻对待制作金属柱位置进行蚀刻，去除待制作金属柱位置的第一层光阻，露出连接金属；
在连接金属和第一层光阻内镀上金属，形成与连接金属连接的金属柱。
2.根据权利要求1所述的一种金属柱制作方法，其特征在于，在步骤去除待制作金属柱位置的耐蚀刻缓冲层后，还包括步骤：
去除第二层光阻。
3.根据权利要求1所述的一种金属柱制作方法，其特征在于，所述耐蚀刻缓冲层以蒸镀、溅镀或电镀的方式形成。
4.根据权利要求1所述的一种金属柱制作方法，其特征在于，所述金属柱通过电镀或蒸镀的方式形成。
5.根据权利要求1所述的一种金属柱制作方法，其特征在于，还包括步骤：在金属柱上形成焊料。
6.根据权利要求5所述的一种金属柱制作方法，其特征在于，还包括对焊料进行回流。
7.根据权利要求1到6所述的一种金属柱制作方法，其特征在于，还包括步骤：去除耐蚀刻缓冲层和第一层光阻。
8.根据权利要求1到6任意一项所述的一种金属柱制作方法，其特征在于：所述金属柱为铜柱。
9.根据权利要求1到6任意一项所述的一种金属柱制作方法，其特征在于：所述耐蚀刻缓冲层为TiW、TiW-Au或氮化物。
10.半导体器件，其特征在于：所述半导体器件为权利要求1到9任意一项所述方法制得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
