[发明专利]银纳米线嵌入PDMS的柔性电容传感器在审
| 申请号： | 201910260103.4 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111765910A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 邹强;马卓敏 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01D5/24 | 分类号： | G01D5/24 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 韩新城 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 嵌入 pdms 柔性 电容 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.银纳米线嵌入PDMS的柔性电容传感器，其特征在于，包括具有柱状微结构的PDMS介电层以及位于PDMS介电层上下的两个由嵌有AgNWs的PDMS导电膜构成的电极，所述PDMS介电层采用以下方式制作：
将PDMS DC184、PDMS SE1700按预定比例混合制作成PMDS混合胶；
分两次匀涂PMDS混合胶在载玻片上，第一次涂完后固化处理，得到第一层PDMS膜，继续匀涂，得到第二层PDMS膜，形成电容传感器初步介电层；
将具有孔洞的PCET模板放在第二层PDMS膜上，对该PCET模板与电容传感器初步介电层抽真空处理，使PDMS胶体进入PCET模板的孔洞里，经过固化后，形成稳定的柱状微结构；
洗除PCTE模板，形成所述具有柱状微结构的PDMS电容传感器介电层。
2.如权利要求1所述银纳米线嵌入PDMS的柔性电容传感器，其特征在于，所述第一层PDMS膜的厚度为200um，所述第一层PDMS膜的厚度为100um。
3.如权利要求1所述银纳米线嵌入PDMS的柔性电容传感器，其特征在于，所述PCET模板的厚度为13um表面随机分布孔洞的孔径为5um。
4.如权利要求1所述银纳米线嵌入PDMS的柔性电容传感器，其特征在于，所述PCET模板采用二氯甲烷溶解法清除。
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