[发明专利]一种双面电池的制备方法在审
申请号: | 201910261164.2 | 申请日: | 2019-04-02 |
公开(公告)号: | CN109950347A | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 许颖;何仁;陈静伟;陈剑辉 | 申请(专利权)人: | 河北大学 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人: | 胡素梅 |
地址: | 071002 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂源 沉积 扩散 超声雾化 双面电池 双面扩散 扩散炉 陶瓷辊 烘干 制备 超声雾化装置 硼酸 管式扩散炉 工艺过程 磷硅玻璃 硼硅玻璃 雾化掺杂 印刷电极 正反两面 产业化 腐蚀液 富磷层 减反层 磷酸 硼层 去除 加热 配制 掺杂 采购 污染 生产 | ||
1.一种双面电池的制备方法,其特征是,包括如下步骤:
a、采用超声雾化装置在基片正面通过超声雾化沉积硼酸;
b、在加热台上对基片正面所沉积的硼酸进行烘干;
c、将基片置于陶瓷辊式扩散炉中,在960℃-980℃下保持15min-25min,在基片正面进行硼扩散;
d、采用超声雾化装置在基片背面通过超声雾化沉积磷酸;
e、在加热台上对基片背面所沉积的磷酸进行烘干;
f、将基片置于陶瓷辊式扩散炉中,在850℃-900℃下保持15min-25min,在基片背面进行磷扩散;
g、采用氢氟酸去除基片正面的硼硅玻璃和背面的磷硅玻璃;采用氢氟酸、硝酸和水的混合溶液去除基片正面的富硼层和背面的富磷层;
h、采用等离子体化学气相沉积法在基片的正面和背面分别镀SiNX减反层;
i、采用丝网印刷工艺在基片的正面和背面印刷银浆并烘干、烧结至正面和背面均形成插指状的电极。
2.根据权利要求1所述的双面电池的制备方法,其特征是,在步骤a之前先对基片进行制绒以及预处理,所述预处理具体是将基片置于硫酸和双氧水的混合溶液中进行表面活化亲水。
3.根据权利要求2所述的双面电池的制备方法,其特征是,所述硫酸的质量分数是98%,所述双氧水的质量分数是30%,硫酸和双氧水的体积比是7:3。
4.根据权利要求1所述的双面电池的制备方法,其特征是,步骤a和步骤d中超声雾化沉积的工艺参数为:超声频率为1.7MHz±0.17MHz,雾化率3mL/min,雾粒中位直径3.9μm±0.9μm。
5.根据权利要求1所述的双面电池的制备方法,其特征是,步骤b和步骤e中在加热台上进行烘干时,烘干温度是180℃-200℃,烘干时间是2-6min。
6.根据权利要求1所述的双面电池的制备方法,其特征是,步骤a中超声雾化沉积硼酸时,所用到的硼酸溶液的质量分数是3%-6%,硼酸溶液通过氧化硼粉末配制而成。
7.根据权利要求1所述的双面电池的制备方法,其特征是,步骤d中超声雾化沉积磷酸时,所用到的磷酸溶液的质量分数是5%-12%。
8.根据权利要求1所述的双面电池的制备方法,其特征是,步骤g中采用质量分数为10%的氢氟酸溶液腐蚀基片正面的硼硅玻璃和背面的磷硅玻璃,硼硅玻璃和磷硅玻璃同时去除或依序去除;
采用体积比为1:0.2~0.25:1的硝酸、氢氟酸和水的混合溶液腐蚀基片正面的富硼层和背面的富磷层,硝酸的质量分数是70%,氢氟酸的质量分数是40%,富硼层和富磷层同时去除或依序去除。
9.根据权利要求1所述的双面电池的制备方法,其特征是,所述基片为N型单晶硅基片、N型多晶硅基片、P型单晶硅基片或P型多晶硅基片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的