[发明专利]基于分子间相互作用的粗粒化方法有效
申请号: | 201910261349.3 | 申请日: | 2019-04-02 |
公开(公告)号: | CN110070918B | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 袁帅;桑健;葛丝雨;杨廷;成杰 | 申请(专利权)人: | 重庆邮电大学 |
主分类号: | G16C10/00 | 分类号: | G16C10/00 |
代理公司: | 重庆市恒信知识产权代理有限公司 50102 | 代理人: | 李金蓉 |
地址: | 400065 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 分子 相互作用 粗粒化 方法 | ||
1.基于分子间相互作用的粗粒化方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1、对晶体材料进行量子力学计算:根据晶体材料的晶向对晶体材料的单体分子进行建模,并用QM方法进行计算,计算完成后,改变两个单体分子之间的距离,重新计算;经过一系列的计算后,得到距离-能量矩阵;
步骤2、对三斜晶系进行校正:对于三斜晶系材料,对其晶体结构进行正交化处理,得到斜方晶系;
步骤3、建立伪化学键模型:根据步骤2的斜方晶系建立伪化学键模型,具体为,模型x、y、z三个方向的距离依据校正后的斜方晶系晶格常数确定,然后将每一个晶体材料单体粗粒化为一个珠子,珠子与珠子之间,使用伪化学键连接,伪化学键不是真正意义上的化学键,他的长度远远超出了化学键的长度,表示成一种分子间的相互作用;
步骤4、对Morse函数参数进行拟合:对步骤1计算得到的距离-能量矩阵进行Morse函数参数拟合,得到D、α、r0的参数矩阵;
步骤5、将步骤4获得的参数矩阵和步骤3建立的模型带入MD框架进行模拟;
步骤6、输出模拟结果:输出需要的计算结果或者可视化轨迹。
2.根据权利要求1所述基于分子间相互作用的粗粒化方法,其特征在于:步骤2所述对于三斜晶系材料的正交化处理为,a′=a,b′=b×cos(γ-90),c′=c×cos(α-90),a、b、c、α、β、γ是指原三斜晶系中的6个晶体参数,其中a、b、c是指晶胞的三组棱长,α、β、γ是指三组棱相互间的夹角,带′的是正交化为斜方晶系后的6个晶体参数。
3.根据权利要求1所述基于分子间相互作用的粗粒化方法,其特征在于:所述伪化学键的长度远远超出化学键的长度,且不表示成对电子,而表示为一种分子间的相互作用,且不同方向的伪化学键的键长和类型不同。
4.根据权利要求1-3任一项所述基于分子间相互作用的粗粒化方法,其特征在于:步骤5MD框架模拟中将键角设置为90°或180°。
5.根据权利要求4所述基于分子间相互作用的粗粒化方法,其特征在于:在MD模拟中,在一个晶体颗粒内,使用伪化学键描述分子之间的相互作用,而在不同的晶体颗粒之间使用Morse对势来描述相互作用。
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