[发明专利]基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法

权利要求书

1.一种基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法，其特征在于，所述方法包括：

制备二维硒化亚锗单晶；

将所述二维硒化亚锗单晶剥离成二维硒化亚锗纳米片并转移到有二氧化硅氧化层的硅片衬底上，得到二维硒化亚锗纳米片薄层；

将所述二维硒化亚锗纳米片薄层制备成二维硒化亚锗两端器件，得到基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件，以代替电荷耦合元件；所述二维硒化亚锗两端器件即为所述二维硒化亚锗光电探测器；

将所述二维硒化亚锗纳米片薄层制备成二维硒化亚锗两端器件，得到基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件的步骤，包括：采用的是金线掩膜和热蒸镀的方法，对所述二维硒化亚锗纳米片薄层制作金属电极，得到所述硒化亚锗两端器件；

将所述二维硒化亚锗单晶剥离成二维硒化亚锗纳米片并转移到有二氧化硅氧化层的硅片衬底上，得到二维硒化亚锗纳米片薄层的步骤之前，所述方法还包括：对有二氧化硅氧化层的硅片衬底进行清洗；

对有二氧化硅氧化层的硅片衬底进行清洗的步骤，包括：使用丙酮溶液和异丙醇溶液分别对所述有二氧化硅氧化层的硅片衬底进行超声清洗；将经过所述超声清洗的有二氧化硅氧化层的硅片衬底放入双氧水和硫酸比例为1∶3的混合溶液中清洗；将经过所述混合溶液清洗的有二氧化硅氧化层的硅片衬底放入去离子水中清洗；

所述二维硒化亚锗单晶是在双温区管式炉中利用真空热蒸发沉积技术生长得到；

所述双温区管式炉的高温区温度为700℃，低温区温度为400℃，降温速率为20℃/时。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅氧化层的厚度为300nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述将所述二维硒化亚锗单晶剥离成二维硒化亚锗纳米片并转移到有二氧化硅氧化层的硅片衬底上，得到二维硒化亚锗纳米片薄层的步骤中，采用机械剥离法对所述二维硒化亚锗单晶进行剥离。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备二维硒化亚锗两端器件使用的金属电极材料为金。

5.一种采用权利要求1至4任一项所述的基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法制备的成像元件，其特征在于，包括：

二维硒化亚锗纳米片、有二氧化硅氧化层的硅片衬底、金属电极；所述二维硒化亚锗纳米片位于所述有二氧化硅氧化层的硅片衬底上，所述金属电极位于所述二维硒化亚锗纳米片上。