[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的镀膜方法有效
| 申请号： | 201910261761.5 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN109935640B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 张鹤;王亨;张良俊;韩方虎;姚良 | 申请（专利权）人： | 江苏微导纳米科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 万婧 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 镀膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体硅太阳能电池的镀膜方法，利用多电极PECVD系统沉积硅基薄膜，沉积反应为硅源气体和惰性气体在等离子体作用下反应，反应的压力为30Pa～1000Pa、反应温度为50℃～650℃、其中硅源与惰性气体的流量比范围为0.05～1:2.5～50；所述等离子体的馈入功率为3kW～20kW；其特征在于，
所述硅源为SiH4、Si2H6、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、SiH(NH2)3中的至少一种；
所述硅源气体流量范围在0.77～1SLM、惰性气体的流量范围在6SLM；
所述的惰性气体为Ar、He、Ne中的任一种。
2.根据权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，所述多电极PECVD系统为管式PECVD系统。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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