[发明专利]电力电路以及驱动电路在审

专利信息
申请号: 201910262081.5 申请日: 2019-04-02
公开(公告)号: CN111082786A 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 杨长暻 申请(专利权)人: 台达电子工业股份有限公司
主分类号: H03K17/082 分类号: H03K17/082;H03K17/74
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 聂慧荃;闫华
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电力 电路 以及 驱动
【说明书】:

一种电力电路以及驱动电路,其中电力电路包括功率晶体管以及驱动电路。功率晶体管根据驱动节点的驱动电压,抽取功率电流至接地端。驱动电路包括驱动器,驱动器包括上桥晶体管、下桥晶体管以及上桥驱动器。上桥晶体管根据上桥电压,将低电压提供至驱动节点。下桥晶体管根据控制信号,将驱动节点耦接至接地端。上桥驱动器包括多个N型晶体管,且根据控制信号,将高电压提供至上桥节点。高电压超过驱动电路的多个N型晶体管的栅极操作电压。

技术领域

发明涉及氮化镓(GaN)功率元件的驱动电路。

背景技术

在一个电力电路中,往往需要利用电荷泵将供应电压升压至更高的电压来驱动功率晶体管。图1显示一般的电力电路。如图1所示,电力电路100包括功率晶体管110、上桥晶体管121以及下桥晶体管122。上桥晶体管121以及下桥晶体管122用以于驱动节点ND产生驱动电压VD,使得功率晶体管110根据驱动电压VD抽取功率电流IP。

由于驱动电压VD会达到操作电压VS,上桥电压VHS会超过操作电压VS以完全导通上桥晶体管121,使得上桥电压VHS超过操作电压VS而确保上桥晶体管完全导通。

发明内容

有鉴于此,本发明提出一种电力电路,包括:一功率晶体管以及一驱动电路。上述功率晶体管根据一驱动节点的一驱动电压,抽取一功率电流至一接地端。上述驱动电路包括一驱动器。上述驱动器包括一上桥晶体管、一下桥晶体管以及一上桥驱动器。上述上桥晶体管根据一上桥节点的一上桥电压,将一低电压提供至上述驱动节点。上述下桥晶体管根据一控制信号,将上述驱动节点耦接至上述接地端。上述上桥驱动器包括多个N型晶体管,且根据上述控制信号,将一高电压提供至上述上桥节点,其中上述高电压超过上述驱动电路的上述多个N型晶体管的一栅极操作电压。

本发明更提出一种驱动电路,用以驱动一功率晶体管,其中上述功率晶体管根据一驱动节点的一驱动电压,抽取一功率电流至一接地端。上述驱动电路包括一驱动器。上述驱动器包括一上桥晶体管、一下桥晶体管以及一上桥驱动器。上述上桥晶体管根据一上桥节点的一上桥电压,将一低电压提供至上述驱动节点。上述下桥晶体管根据一控制信号,将上述驱动节点耦接至上述接地端。上述上桥驱动器包括多个N型晶体管,且根据上述控制信号,将一高电压提供至上述上桥节点,其中上述高电压超过上述驱动电路的上述多个N型晶体管的一栅极操作电压。

附图说明

图1是显示一般的电力电路;

图2是显示根据本发明的一实施例所述的电力电路的方框图;

图3是显示根据本发明的一实施例所述的电力电路的方框图;

图4是显示根据本发明的另一实施例所述的图3的驱动器的电路图;

图5是显示根据本发明的另一实施例所述的图3的驱动器的电路图;

图6是显示根据本发明的另一实施例所述的图3的驱动器的电路图;

图7是显示根据本发明的一实施例所述的图3的第一稳压器的电路图;

图8是显示根据本发明的一实施例所述的图3的第二稳压器的电路图;

图9是显示根据本发明的一实施例所述的图3的欠压锁定电路的电路图;

图10是显示根据本发明的另一实施例所述的电力电路的方框图;

图11是显示根据本发明的一实施例所述的图10的驱动器的电路图;

图12是显示根据本发明的一实施例所述的图11的驱动器的电路图;

图13是显示根据本发明的另一实施例所述的图11的驱动器的电路图;以及

图14是显示根据本发明的另一实施例所述的图11的驱动器的电路图。

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