[发明专利]一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管

权利要求书

1. 一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，从下到上至少包括：N型半导体层、发光层、P型半导体层，所述发光层为由势垒层和势阱层交替堆叠形成的多量子阱结构，其特征在于：相邻所述势垒层和势阱层之间设置有In_xAl_1-xN插入层，且In_xAl_1-xN插入层的能隙大于势阱层的能隙；所述势阱层为Al_zGa_1-zN层，势阱层中铝组分z 的取值范围为1＞z≥0.4; 所述势垒层为Al_yGa_1-yN层，势垒层中铝组分y 的取值范围为1＞yz。

2.根据权利要求1所述的氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，其特征在于：所述In_xAl_1-xN插入层的厚度为1-4纳米。

3.根据权利要求1所述的氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，所述In_xAl_1-xN插入层中铟组分x0.21。

4.根据权利要求3所述的氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，其特征在于：所述In_xAl_1-xN插入层与势垒层的能带排列为type-II型排列，且In_xAl_1-xN插入层的能隙与势垒层的能隙相差5%以内。

5.根据权利要求1所述的氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，其特征在于：所述发光层的发光波长在210－300nm光谱范围内。

6.根据权利要求1所述的氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，其特征在于：所述N型半导体层的下方还具有自下而上依次为衬底、缓冲层和超晶格层。

7.根据权利要求1所述的氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，其特征在于：P型半导体层上方设置有P型欧姆接触层。

8.根据权利要求1所述的氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，其特征在于：所述多量子阱结构的周期为2-20。