[发明专利]具有流扩展器的晶片处理系统

权利要求书

1.一种晶片处理系统，包括：

腔室，所述腔室具有限定内部空间的壁，所述腔室中具有晶片承载器，所述晶片承载器具有周边边缘和顶表面；以及

环流扩展器，所述环流扩展器在所述腔室内围绕所述晶片承载器，所述环流扩展器具有顶表面、与所述顶表面相对的底表面、内表面和外周面，所述外周面背离所述晶片承载器并从所述顶表面延伸到所述底表面，所述外周面具有倒圆部分，所述倒圆部分靠近所述顶表面并且其半径被限定为不大于0.5英寸。

2.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其中，所述倒圆部分沿着所述外周面从所述顶表面延伸不超过0.4英寸。

3.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其中，所述环流扩展器的由所述顶表面和所述内表面形成的拐角基本上与所述晶片承载器的所述顶表面齐平。

4.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其中，所述环流扩展器的所述顶表面向上倾斜并远离所述晶片承载器的所述顶表面。

5.根据权利要求4所述的晶片处理系统，其中，所述顶表面与垂直方向成60度至75度之间的角度。

6.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其中，所述倒圆部分的半径被限定为0.1英寸至0.5英寸。

7.根据权利要求1所述的晶片处理系统，包括具有凹入部分的下部。

8.一种用于晶片处理系统的环流扩展器，所述环流扩展器包括：

顶表面；

与所述顶表面相对的底表面；

内表面；以及

外周面，所述外周面具有靠近所述顶表面的倒圆部分和靠近所述底表面的下部，所述倒圆部分的半径被限定为不大于0.5英寸并且从所述顶表面延伸不超过0.5英寸。

9.根据权利要求8所述的环流扩展器，其中，所述倒圆部分的半径被限定为不大于0.4英寸并且从所述顶表面延伸不超过0.4英寸。

10.一种方法，包括：

将晶片承载器和根据权利要求8所述的环流扩展器放置在反应腔室内，使得环围绕所述承载器，并且所述承载器的顶表面和所述环的顶表面面向上游方向并且基本上彼此位于同一平面；以及

将一种或多种处理气体沿与所述上游方向相反的下游方向引导到所述承载器的所述顶表面上，同时使所述承载器围绕所述承载器的上游到下游的轴旋转，使得处理气体向外流过所述承载器的所述顶表面和所述环的所述顶表面。

11.一种处理至少一个晶片的方法，所述方法包括：

将在其顶面支撑至少一个晶片的晶片承载器和环流扩展器放置在反应腔室内，环围绕所述晶片承载器，所述承载器的顶表面和所述环的顶表面面向上游方向并且基本上彼此位于同一平面，所述环具有背离所述晶片承载器的外周面，所述外周面具有倒圆部分，所述倒圆部分靠近所述环的所述顶表面并且其半径被限定为不大于0.5英寸；以及

将一种或多种处理气体沿与所述上游方向相反的下游方向引导到所述承载器的所述顶表面和所述至少一个晶片上，同时使所述承载器和所述至少一个晶片围绕所述承载器的上游到下游的轴旋转，使得处理气体向外流过所述承载器的所述顶表面和所述环的所述顶表面。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括从所述腔室排出所述一种或多种处理气体，使得向外流过所述环的所述顶表面的气体在所述环的所述外周面和所述反应腔室的壁之间的间隙内向下游通过。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述环的所述外周面具有抑制在所述间隙内流动的所述一种或多种处理气体中的颗粒积聚到所述环的所述外周面上的轮廓。