[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一半导体单元以及位于所述第一半导体单元内的第一TSV结构，所述第一半导体单元顶部表面露出所述第一TSV结构；

位于所述第一半导体单元顶部表面的层间接合层，所述层间接合层内具有互连结构，所述互连结构包括至少一层导电层，所述互连结构具有顶端和与所述顶端相对的底端，且所述第一TSV结构与所述互连结构的底端相接触；

位于所述层间接合层表面的第二半导体单元，所述第二半导体单元与所述第一半导体单元分别位于所述层间接合层相对的两侧，所述第二半导体单元内具有第二TSV结构，所述第二TSV结构与所述互连结构的顶端相接触。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第一半导体单元指向第二半导体单元的方向上，所述互连结构的厚度在0.4μm～10μm范围内。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述互连结构包括：底层导电层，所述底层导电层位于所述第一半导体单元顶部表面，所述底层导电层具有第一正面和与所述第一正面相对的第一背面，且所述底层导电层的第一背面与所述第一TSV结构相接触。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述底层导电层的第一正面与所述第二TSV结构相接触。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述互连结构还包括：顶层导电层，所述顶层导电层具有第二正面和与所述第二正面相对的第二背面，其中，所述第二背面与所述第一正面相对，所述顶层导电层的第二正面与所述第二TSV结构相接触；电连接所述第一正面与所述第二背面的中间互连结构。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述中间互连结构包括：导电插塞，所述导电插塞一端与所述底层导电层的第一正面相接触，所述导电插塞另一端与所述第二背面相接触。

7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述中间互连结构还包括至少一层中间导电层。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二半导体单元顶部表面露出所述第二TSV结构。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述下层封单元包括第一晶圆或者第一芯片；所述第二半导体单元包括第二晶圆或者第二芯片。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第一半导体单元指向第二半导体单元的方向上，所述层间接合层的厚度等于所述互连结构的厚度。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第一半导体单元指向第二半导体单元的方向上，所述层间接合层的厚度大于所述互连结构的厚度；且所述第二TSV结构还位于部分厚度的层间接合层内。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二TSV结构的数量为两个或两个以上，在沿所述第一半导体单元指向第二半导体单元的方向上，所有所述第二TSV结构的长度不完全相同；所有所述互连结构中的导电层的层数不完全相同。

13.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，

提供第一半导体单元，所述第一半导体单元内具有第一TSV结构，且所述第一半导体单元顶部表面暴露出所述第一TSV结构；

提供第二半导体单元；

形成层间接合层，所述层间接合层内形成有互连结构，所述互连结构包括至少一层导电层，所述互连结构具有顶端和与所述顶端相对的底端，且所述第一半导体单元与所述第二半导体单元分别位于所述层间接合层相对的表面，所述第一TSV结构与所述互连结构的底端相接触；

形成贯穿所述第二半导体单元的第二TSV结构，所述第二TSV结构还与所述互连结构的顶端相接触。