[发明专利]存储器验证电路以及验证方法

说明书

本发明公开了一种存储器验证电路以及验证方法，所述验证电路包括块译码器和两个以上存储模块，每个存储模块包括行译码器、列译码器以及存储阵列，每个存储阵列包括呈阵列排布的存储单元，属于相同存储阵列的存储单元相同，属于不同存储阵列的存储单元不同；块译码器用于对块地址信号进行译码，以选通一个存储模块中的行译码器和列译码器；行译码器用于对行地址信号进行译码，以选通所述行译码器所在存储模块中的存储阵列的一行存储单元；列译码器用于对列地址信号进行译码，以选通所述列译码器所在存储模块中的存储阵列的一列存储单元。本发明提供的存储器验证电路和验证方法，能够提高存储器验证的验证效率、降低存储器验证的验证成本。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，具体涉及一种存储器验证电路以及验证方法。

背景技术

随着人类向太空领域的不断探索，宇宙飞船以及卫星等航天设备所要面临的辐射环境也越来越复杂。在这些复杂的辐射环境中，单粒子效应的危害十分严重，可能造成航天设备的控制系统逻辑混乱。单粒子效应是指单个高能粒子穿过微电子器件灵敏区时造成器件状态非正常改变的一种辐射效应，包括单粒子翻转、单粒子锁定、单粒子烧毁以及单粒子栅击穿等。

静态随机存取存储器(SRAM，Static Random Access Memory)是一种具有静态存取功能的内存，由于其具有读写速度快且无需进行刷新的特点，静态随机存取存储器作为高速缓存已经被广泛应用。尤其是面向空间应用的静态随机存取存储器，其抗单粒子翻转性能直接影响着航天设备控制系统的可靠性。在静态随机存取存储器中，对单粒子翻转最敏感的是具有锁存结构的存储单元。依靠加速器产生的重粒子进行单粒子翻转的模拟实验，是一种验证静态随机存取存储器抗单粒子翻转性能的有效验证方法。然而，现有的验证静态随机存取存储器抗单粒子翻转性能的方法，只能同时验证一种存储单元的抗单粒子翻转性能，验证效率低，且验证成本较高。

发明内容

本发明所要解决的是对存储器进行验证效率低、成本高的问题。

本发明通过下述技术方案实现：

一种存储器验证电路，包括行译码器、列译码器以及存储阵列，所述存储阵列包括呈阵列排布的存储单元，所述呈阵列排布的存储单元被划分为两个以上存储区域，属于相同存储区域的存储单元相同，属于不同存储区域的存储单元不同；

所述行译码器用于对行地址信号进行译码，以选通所述存储阵列的一行存储单元；

所述列译码器用于对列地址信号进行译码，以选通所述存储阵列的一列存储单元。

可选的，属于不同存储区域的存储单元的电路结构不同；或者，

属于不同存储区域的存储单元的电路结构相同、尺寸不同。

可选的，所述存储器验证电路还包括读取电路和控制电路；

所述读取电路用于读取每个存储单元存储的数据；

所述控制电路用于向所述列译码器和所述读取电路提供读写控制信号。

可选的，所述每个存储区域中的存储单元数量均相同。

基于同样的发明构思，本发明还提供另一种存储器验证电路，包括块译码器和两个以上存储模块，每个存储模块包括行译码器、列译码器以及存储阵列，每个存储阵列包括呈阵列排布的存储单元，属于相同存储阵列的存储单元相同，属于不同存储阵列的存储单元不同；

所述块译码器用于对块地址信号进行译码，以选通一个存储模块中的行译码器和列译码器；

所述行译码器用于对行地址信号进行译码，以选通所述行译码器所在存储模块中的存储阵列的一行存储单元；

所述列译码器用于对列地址信号进行译码，以选通所述列译码器所在存储模块中的存储阵列的一列存储单元。