[发明专利]微型探测器及缺陷量测方法

权利要求书

1.一种微型探测器，其特征在于，包含：

一基板；

一鳍状结构，位于该基板上；

一浮动栅极，位于该基板上，该浮动栅极与该鳍状结构彼此垂直交叉；

一感测栅极，位于该鳍状结构的一侧；

一读取栅极，位于该鳍状结构的另一侧；

一天线层，连接该感测栅极，该天线层位于该感测栅极上方；以及

一连接点，其中该天线层透过该连接点连接该感测栅极，该感测栅极的电压透过该连接点与该浮动栅极耦合；

其中该感测栅极与该读取栅极形成一耦合结构，该鳍状结构区隔该耦合结构形成一电荷收集区以及一信号读取区，该感测栅极于该电荷收集区内，该读取栅极于该信号读取区内；

其中该天线层接触一外部能量源后产生一引致电荷，透过一耦合效应将该引致电荷储存于该浮动栅极内。

2.根据权利要求1所述的微型探测器，其特征在于，还包含一浅沟槽隔离层，其中该浅沟槽隔离层形成于该基板上，且该鳍状结构穿设于该浅沟槽隔离层。

3.根据权利要求1所述的微型探测器，其特征在于，该连接点呈平板状、多颗柱状或点状。

4.根据权利要求1所述的微型探测器，其特征在于，该天线层呈平板状、栅状或指叉状。

5.根据权利要求1所述的微型探测器，其特征在于，该天线层的材质为一金属。

6.根据权利要求1所述的微型探测器，其特征在于，该天线层的材质为一受光反应材质。

7.根据权利要求1所述的微型探测器，其特征在于，该天线层的厚度为

8.一种缺陷量测方法，其是应用于至少一如权利要求1至7任一项所述的微型探测器，其特征在于，该缺陷量测方法包含：

将该耦合结构区隔成该电荷收集区以及该信号读取区；

形成该感测栅极于该电荷收集区内；

形成该读取栅极于该信号读取区内；

以该外部能量源接触该耦合结构产生该引致电荷；

透过该耦合结构产生该耦合效应，将该引致电荷储存于该浮动栅极内；

对该微型探测器进行一电性量测，取得该微型探测器的一截止电压；

将该截止电压与一标准截止电压进行比对，取得一截止电压偏移值；以及

利用该截止电压偏移值计算对应该引致电荷的一电荷值。

9.根据权利要求8所述的缺陷量测方法，其特征在于，该外部能量源为一电磁波、一电子束、一电浆或一离子束。

10.根据权利要求9所述的缺陷量测方法，其特征在于，该电磁波包含一紫外光、一可见光或一红外线光。

11.根据权利要求8所述的缺陷量测方法，其特征在于，该微型探测器包含一平面型晶体管结构或一鳍式晶体管结构。

12.根据权利要求8所述的缺陷量测方法，其特征在于，该引致电荷的该电荷值Q_FG为：

Q_FG＝C_T×ΔV_T×CR_READ，其中C_T为该浮动栅极的总电容、ΔV_T为该截止电压偏移值、CR_READ为该读取栅极的耦合比例。

13.根据权利要求8所述的缺陷量测方法，其特征在于，当该缺陷量测方法应用于多个该微型探测器时，该些微型探测器排列形成一微型探测器阵列。

14.根据权利要求8所述的缺陷量测方法，其特征在于，当该缺陷量测方法应用于多个该微型探测器时，该些微型探测器构成一NAND记忆体晶片架构或一NOR记忆体晶片架构。

15.根据权利要求9所述的缺陷量测方法，其特征在于，该电磁波包含一极紫外光或一深紫外光。