[发明专利]一种在金属衬底上制备BaZrS3 有效
申请号: | 201910264296.0 | 申请日: | 2019-04-03 |
公开(公告)号: | CN110010724B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 杨森;周超;于忠海;张垠;姚康康;李叶蓓;孔春才 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 覃婧婵 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 衬底 制备 bazrs base sub | ||
1.一种在金属衬底上制备BaZrS3太阳能电池薄膜材料的方法,所述方法包括步骤:
S100、称取BaZrO3粉末并硫化处理得到靶材A;
S200、将蓝宝石放入磁控溅射系统中镀钨得到衬底B;
S300、对靶材A和衬底B进行镀膜得到样品C;
S400、将样品C进行热处理得到最终产物BaZrS3太阳能电池薄膜材料;
其中步骤S100包括:
S101、将称量好的BaZrO3粉末盛入坩埚放入化学气相沉积炉,向炉内通氩气4-8h,直到排空炉内氧气;
S102、化学气相沉积炉内氧气排空后开始以5℃/min的速率升温至800-850℃后,将氩气通道转移至装有CS2溶液的冷阱中,同时继续以5℃/min的速率对化学气相沉积炉加热升温至1000-1100℃后保温2-10h。
2.如权利要求1所述的方法,其中,步骤S100中所述BaZrO3质量为5-10g,所述硫化处理在化学气相沉积炉中进行。
3.如权利要求1所述的方法,其中,步骤S100还包括步骤:
S103、步骤102保温时间到后设置以5℃/min的速率降温至800-850℃时将氩气通道转移至化学气相沉积炉,直到炉温降至室温,得到样品A。
4.如权利要求3所述的方法,其中,步骤S100还包括步骤:
S104、取出样品A后用有机溶剂清洗3-5次后干燥,球磨,造粒,然后压片得到靶材A。
5.如权利要求4所述的方法,其中,所述有机溶剂是丙酮、酒精或者乙酸乙酯中的一种。
6.如权利要求1所述的方法,其中,步骤S200包括取钨靶和蓝宝石放入磁控溅射系统,抽真空至10-5Pa,设定功率为30W,打开氩气通道通入氩气,当系统内气压达到20Pa时,开始溅射,持续时间15-20mins,得到衬底B。
7.如权利要求1所述的方法,其中,步骤S300包括将靶材A和衬底B放入脉冲激光沉积设备的溅射室中,抽真空至10-5Pa,使靶材A和衬底B保持间距6-8cm,设置基底温度700-800℃,打开激光沉积设备溅射1-2h,得到样品C。
8.如权利要求1所述的方法,其中,所述热处理在化学气相沉积炉中进行。
9.如权利要求1所述的方法,其中,步骤S400包括取出样品C,将其放入化学气相沉积炉内通氩气4-6h后以5℃/min的速率升温至800-850℃,将氩气通道转移至装有CS2溶液的冷阱,同时继续以5℃/min的速率对化学气相沉积炉加热到1000-1100℃保温2-5h后得到最终产物BaZrS3太阳能电池薄膜材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910264296.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种选择性发射极实现方法
- 下一篇:光伏组件层压装置及光伏组件层压机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的