[发明专利]蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质在审
申请号: | 201910264802.6 | 申请日: | 2014-09-19 |
公开(公告)号: | CN109935520A | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 古川孝弘;二俣雄亮;佐藤秀明;原大海;河津贵裕;盐川俊行;佐藤尊三 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/311;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 蚀刻液 存储介质 蚀刻处理 蚀刻装置 晶圆 排出 溶出 浓度保持 恒定的 | ||
1.一种蚀刻方法,其特征在于,
该蚀刻方法包括以下工序:
蚀刻工序,使用蚀刻液对收纳于蚀刻处理部内的被处理体实施蚀刻处理;以及
间隔工序,处于对所述被处理体进行的蚀刻工序与下一个被处理体的蚀刻工序之间,不将被处理体浸渍于蚀刻处理部内的蚀刻液,
其中,所述蚀刻工序包括第1部分更换模式,该第1部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序,
所述间隔工序包括第2部分更换模式,该第2部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以比第1设定量大的第3设定量排出的工序和将新的蚀刻液以比第2设定量大的第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序,
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液在所述蚀刻工序的整个期间内连续地以所述第1设定量排出的工序和将所述新的蚀刻液在所述蚀刻工序的整个期间内连续地以所述第2设定量供给的工序,
所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以这样的方式被确定的第3设定量和第4设定量:蚀刻液中的从在紧接着所述间隔工序之后的所述蚀刻工序开始时提供于所述蚀刻处理的所述被处理体溶出的溶出成分浓度恢复为预定值。
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法,其特征在于,
所述间隔工序的所述第2部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液在所述间隔工序的整个期间内连续地以所述第3设定量排出的工序和将所述新的蚀刻液在所述间隔工序的整个期间内连续地以所述第4设定量供给的工序。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法,其特征在于,
所述间隔工序的所述第2部分更换模式具有将提供于所述蚀刻处理的所述蚀刻液断续地以所述第3设定量排出的工序和将所述新的蚀刻液断续地以所述第4设定量供给的工序。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的蚀刻方法,其特征在于,
在所述间隔工序中执行第2部分更换模式,来使在紧接着间隔工序之后的下一个被处理体的蚀刻工序开始时的蚀刻液中的溶出成分浓度与在间隔工序前的被处理体的蚀刻工序开始时的蚀刻液中的溶出成分浓度为相同的值。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的蚀刻方法,其特征在于,
所述蚀刻工序的所述第1部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第1设定量和所述第2设定量,所述间隔工序的所述第2部分更换模式包括以所述蚀刻处理部的蚀刻液的浓度恒定的方式确定的所述第3设定量和所述第4设定量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造