[发明专利]过流保护补偿电路及方法以及反激电路在审
申请号: | 201910264805.X | 申请日: | 2019-04-03 |
公开(公告)号: | CN109818507A | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
发明(设计)人: | 俞秀峰;蓝舟 | 申请(专利权)人: | 深圳市必易微电子有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M1/32 |
代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人: | 王松 |
地址: | 518055 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 副边 占空比 电流补偿单元 补偿电路 获取单元 时间采样 原边峰值电流 反激电路 过流保护 电感 工作开关 预设频率 调整率 采样 平滑 芯片 应用 | ||
1.一种过流保护补偿电路,其特征在于,所述补偿电路包括:副边去磁时间采样单元以及电流补偿单元;所述副边去磁时间采样单元用以采样副边去磁时间Tdem;所述电流补偿单元连接所述副边去磁时间采样单元,用以在预设频率下根据获取的副边去磁时间Tdem对原边峰值电流值进行补偿;或者,
所述补偿电路包括副边去磁占空比获取单元以及电流补偿单元,所述副边去磁占空比获取单元用以分别获取副边去磁时间Tdem以及工作开关周期TS,并以此获取副边去磁占空比D_dem;所述电流补偿单元连接所述副边去磁占空比获取单元,用以根据获取的副边去磁占空比D_dem对原边峰值电流值进行补偿。
2.根据权利要求1所述的过流保护补偿电路,其特征在于:
所述电流补偿单元对原边峰值电流值进行补偿的方式如下:
其中,IL_max为输出过流时对应的原边峰值电流,Io_OLP为系统输出过流值,η为系统效率,Nps为变压器原副边匝比,D_dem为副边去磁占空比,Vo为系统输出电压,Lm为变压器原边电感量,fS为系统工作开关频率。
3.根据权利要求1所述的过流保护补偿电路,其特征在于:
所述副边去磁占空比获取单元获取副边去磁占空比D_dem的方式为:D_dem=Tdem/TS。
4.根据权利要求1所述的过流保护补偿电路,其特征在于:
所述补偿电路包括副边去磁占空比获取单元以及电流补偿单元,所述补偿电路还包括:
副边去磁时间采样单元,用以获取副边去磁时间Tdem;
工作开关周期获取单元,用以获取工作开关周期TS;
所述副边去磁时间采样单元、工作开关周期获取单元分别连接所述副边去磁占空比获取单元,将获取的数据发送至所述副边去磁占空比获取单元。
5.根据权利要求1所述的过流保护补偿电路,其特征在于:
所述副边去磁占空比获取单元通过DEM脚检测副边去磁时间Tdem。
6.根据权利要求1所述的过流保护补偿电路,其特征在于:
所述过流保护补偿电路包括:第一去磁检测模块、频率振荡器、驱动逻辑电路、开关周期检测电路、副边去磁时间检测电路、副边去磁占空比获取模块、峰值电流补偿模块;
所述频率振荡器的输出分别连接驱动逻辑电路的输入、开关周期检测电路的输入,开关周期检测电路的输出连接副边去磁占空比获取模块;
所述驱动逻辑电路的输入还连接第一功率放大器的输出;所述驱动逻辑电路的输出分别连接副边去磁时间检测电路、芯片的Gate管脚、第一去磁检测模块;
所述副边去磁时间检测电路的输入分别连接驱动逻辑电路、第一去磁检测模块,副边去磁时间检测电路的输出连接副边去磁占空比获取模块;
所述副边去磁占空比获取模块的输入分别连接开关周期检测电路、副边去磁时间检测电路,副边去磁占空比获取模块的输出连接峰值电流补偿模块;
所述第一去磁检测模块用以通过开关管的漏极drain去磁结束耦合到芯片门极驱动引脚gate上的信号检测得到Tdem;
所述频率振荡器用以确定内部开关频率;
所述驱动逻辑电路用以产生PWM开通关断信号;
所述开关周期检测电路连接频率振荡器,用以通过内部频率振荡器得到开关周期TS;
所述副边去磁时间检测电路用以检测去磁的起始点,起始点由驱动逻辑电路的关断信号得到;
所述副边去磁占空比获取模块用以获取副边去磁占空比D_dem,D_dem=Tdem/TS;
所述峰值电流补偿模块通过副边去磁占空比D_dem值来补偿峰值电流阈值Vth,从而保持过流电流和D_dem一定关系,以补偿输出电流在不同输入电压时过载的一致性。
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