[发明专利]一种纳米金属膜预制模块及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910265797.0 申请日: 2019-04-03
公开(公告)号: CN109979905B 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 刘旭;叶怀宇;张国旗 申请(专利权)人: 深圳第三代半导体研究院
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/532;H01L21/60;B22F7/06
代理公司: 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 代理人: 彭随丽
地址: 518051 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 金属膜 预制 模块 及其 制备 方法
【说明书】:

本发明提供一种纳米金属膜预制模块及其制备方法。本发明采用多层、不同尺寸纳米金属颗粒层互叠放置的方式构建互连用纳米铜膜预制模块,在烧结时,小尺寸纳米金属颗粒会移动并填充到大尺寸纳米金属颗粒团簇的缝隙中,有机介质则会挥发,多层膜烧结形成完整的金属互连层,相比较单一结构、单一层数的烧结金属膜,此技术方案将提升铜层的致密性,从而提升了互连层导电导热性质。预制模块具有可定制、易操作等特点。并且本发明优选采用纳米铜材料,可以有效地避免高电子迁移、高热失配、高成本等缺点。

技术领域

本发明涉及芯片封装领域,更具体地涉及烧结用金属膜的制备技术。

背景技术

在功率半导体封装领域,寻求低温工艺、高温服役、热膨胀系数相匹配、高导热导电、低成本的互连材料成为现在急需解决的问题。以焊接及引线键合的传统材料工艺存在熔点低、高温蠕变失效、引线缠绕、寄生参数等无法解决的问题,新型互连材料正从焊接向烧结技术发展。通过减小烧结颗粒的尺寸,降低烧结温度,纳米金属颗粒烧结技术已经成为功率半导体器件新型互连材料中最有前景的技术。

目前以纳米银烧结为代表的先进工艺已逐渐成为功率半导体器件封装互连的主流,国内外主要封装应用厂商已进入实用化和规模化使用中。然而纳米银烧结专利、材料、工艺及设备主要由国外厂商控制,在国内的发展受到较大限制。同时纳米银烧结技术也存在不足:1)银材料本身价格较高,限制其不能被广泛使用。2)银和SiC芯片背面材料热膨胀系数的不同,需要添加其它中间金属层提高互连性能,从而增加了工艺复杂性和成本。3)银层存在电迁移现象,不利于功率器件长期可靠应用。与纳米银近似的纳米铜颗粒可以在低温条件下熔融,烧结后熔点接近铜单质材料(1083℃),可构筑稳定的金属互连层。其单组分金属的特性,避免了合金材料热循环效应下的服役可靠性问题,实现铜铜键合,解决芯片和基板之间热膨胀系数匹配的问题,同时避免电迁移现象导致可靠性问题。对比纳米银颗粒,有效降低互连封装的材料和加工成本。更重要的是能够从芯片封装应用领域,进一步推进“全铜化”(All copper)理念的实际应用和产业化,推动半导体产业的创新发展。

例如公开号为CN103262172A的中国专利,其公开了一种用于电气部件和机械部件的烧结材料多层膜的材料和薄膜装配方式,以及通过锻压方式制备成如小方块等的离散外形,以便于在组装操作器件对所述薄层进行带和盘式分发。烧结薄层包括柔性基片(聚合物或金属,锻压过程期间可移除)、脱模涂层、干燥的烧结材料层(银纳米颗粒、金、钯、铜等);烧结材料层包括金属粉末、粘合剂、溶剂;烧结材料层以离散外形被应用在柔性基片上。该方法的缺点在于使用纳米银材料制备单层烧结膜,由此造成用于烧结工艺后,孔隙率较大,导电导热效果差等后果。

专利公开号为CN105492198A的中国专利申请,其公开了一种用于电气部件和机械部件的复合和多层银膜,其中在可烧结银层中加入了增强颗粒或纤维,以提高其强度。再可稍解的银颗粒层上外加了增强金属薄层,其成分可以是银、铜、金或任何其他金属或任何合金。也可是金属聚合物或陶瓷箔。可以是负荷的或具有不同金属和合金层的镀层结构。可以是固体的、穿孔的或以网格形式存在的。该多层复合金属膜的缺点在于,增强金属箔层的加入增加了烧结后连接层的界面数,从而可能降低连接强度;此外,单一尺寸的银颗粒层,烧结后孔隙率很大,会降低热导率、电导率和剪切应力,从而降低可靠性。

专利公开号为CN106660120A的中国专利申请,其公开了一种烧结材料和使用其的固定方法。材料包括金属粉末和基材,金属粉末包括壳结构的纳米颗粒,基材包括聚合物。在聚合物基材上通过印刷或浇筑金属粉末膜,并使用特定方法使该材料形成离散形状的阵列。该方法的缺点在于直接使用印刷或浇筑方式制备离散形状可能导致离散小片的形状依赖印刷丝网的设计,变换形状困难;同时也会导致边缘粗糙、厚度不均、解析度低等问题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种纳米金属膜预制模块及其制备方法和应用。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳第三代半导体研究院,未经深圳第三代半导体研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910265797.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code