[发明专利]无基板半导体封装结构及其制法

权利要求书

1.一种无基板半导体封装结构，其特征在于，包括：

一芯片，包含有一主动面及一与该主动面相对的底面；其中该主动面具有多个金属接点；

一绝缘封胶体，包含有金属盐类，并包覆该芯片；其中该绝缘封胶体的底面与该芯片的底面齐平，其顶面对应芯片的多个金属接点形成多个开口及一第一线路图案；

多个第一金属柱，分别形成于对应的该开口中，并与对应的金属接点连接；

多条第一线路，形成在该第一线路图案上，并与对应第一金属柱连接；以及

多个第一外接垫，电性连接至多个该第一金属柱及多条该第一线路。

2.如权利要求1所述的无基板半导体封装结构，其特征在于，该绝缘封胶体包含有多个贯穿孔，各该贯穿孔贯穿该绝缘封胶体的顶面及底面，且各该贯穿孔内形成一第二金属柱。

3.如权利要求2所述的无基板半导体封装结构，其特征在于，进一步包含：

一保护层，覆盖于该绝缘封胶体的顶面，并包含有多个金属垫，多个该金属垫对应连接于该第一线路及该第一金属柱，多个该金属垫的部分分别连接对应的该第一外接垫；以及

多个第二外接垫，分别连接至位在该绝缘封胶体的底面的各该第二金属柱。

4.如权利要求2所述的无基板半导体封装结构，其特征在于：

该绝缘封胶体的底面形成有一第二线路图案，且该第二线路图案上形成有多条第二线路；

位在该绝缘封胶体的底面的多个该第二金属柱的部分与多个该第二线路的部分进一步分别连接有一第二外接垫；以及该绝缘封胶体的顶面进一步覆盖有一保护层，该保护层包含有多个金属垫，且多个该金属垫对应连接于该第一线路及该第一金属柱，各该金属垫连接对应的该第一外接垫。

5.一种无基板半导体封装结构的制法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)准备一暂时载板；

(b)将一芯片的一背面黏贴于该暂时载板上；

(c)于该暂时载板上形成一绝缘封胶体，并包覆该芯片；其中该绝缘封胶体包含有金属盐类；

(d)移除该暂时载板，并以激光照射于该绝缘封胶体的一顶面，以形成多个开口及一第一线路图案；其中各该开口对准该芯片的一主动面上的对应金属接点，并使该金属接点外露，且该绝缘封胶体的一底面与该芯片的背面齐平；

(e)化学电镀多个该开口及该第一线路图案，于各该开口形成有一第一金属柱，并于该第一线路图案上形成有多条第一线路；以及

(f)将多个第一外接垫电性连接至位于该绝缘封胶体的顶面上的多个该第一金属柱及多条该第一线路。

6.如权利要求5所述的无基板半导体封装结构的制法，其特征在于：

于步骤(d)中进一步以激光照射该绝缘封胶体的顶面，以形成贯穿该绝缘封胶体的顶面与底面的贯穿孔；以及

于步骤(e)中，于各该贯穿孔中形成有一第二金属柱。

7.如权利要求6所述的无基板半导体封装结构的制法，其特征在于，进一步包含：

(g)将多个第二外接垫形成于位在该绝缘封胶体的底面上的多个该第二金属柱。

8.如权利要求6所述的无基板半导体封装结构的制法，其特征在于：

于步骤(d)中进一步以激光照射该绝缘封胶体的底面，以形成一第二线路图案；以及

于步骤(e)中，于该第二线路图案上形成有多条第二线路。

9.如权利要求8所述的无基板半导体封装结构的制法，其特征在于，进一步包含：

(g)将多个第二外接垫形成于位在该绝缘封胶体的底面上的多个该第二金属柱及多条该第二线路。

10.如权利要求5至9中任一项所述的无基板半导体封装结构的制法，其特征在于：

于步骤(e)后，进一步于该绝缘封胶体的顶面形成一保护层，再于该保护层上形成有多个接垫开口，使多个该金属柱的部分及多条该线路的部分外露，再于各该接垫开口中形成有金属垫；以及

于步骤(f)中，将多个该第一外接垫形成于多个该金属垫上。