[发明专利]一种高纯纳米一氧化硅的制备方法在审
| 申请号： | 201910266155.2 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN109796017A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 马文会;陈新亮;万小涵;李绍元;魏奎先;伍继君;雷云;于洁;谢克强;杨斌;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 朱维 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一氧化硅 高纯 制备 一氧化硅粉末 真空干燥处理 等离子体炉 氩气 锂离子电池负极材料 制备技术领域 一氧化硅粉 等离子炉 精细陶瓷 冷凝 保护气 进粉器 镀膜 排出 气化 载气 资源利用 环境保护 排放 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种高纯纳米一氧化硅的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：
（1）将一氧化硅粉末置于温度为60~120℃条件下真空干燥处理1~12h；
（2）将氩气通入等离子体炉内排出等离子炉中的空气；
（3）持续将氩气通入等离子体炉内作为保护气和载气，并将步骤（1）中真空干燥处理的一氧化硅粉末通过进粉器进料使一氧化硅粉气化，冷凝即得高纯纳米一氧化硅。
2.根据权利要求1所述高纯纳米一氧化硅的制备方法，其特征在于：步骤（1）一氧化硅的纯度不低于99.99%，一氧化硅的粒径为0.5~75μm。
3.根据权利要求2所述高纯纳米一氧化硅的制备方法，其特征在于：一氧化硅的粒径为25~48μm。
4.根据权利要求1所述高纯纳米一氧化硅的制备方法，其特征在于：步骤（3）等离子炉功率为10~70Kw、氩气压力为0.10~0.70MPa、进料速率1~50g/min。
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