[发明专利]一种三元镍钴锰硫化物赝电容超级电容器材料的制备方法

权利要求书

1.一种三元镍钴锰硫化物赝电容超级电容器材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将硫源加入镍钴锰前驱体分散液中，搅拌20-40min，得到混合均匀的悬浊液；所述镍钴锰前驱体为三元镍钴锰氢氧化物；所述三元镍钴锰氢氧化物的分子式为Ni_xCo_yMn_z(OH)₂，其中，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1，x+y+z＝1；所述镍钴锰前驱体是通过共沉淀法制备得到的；

(2)将步骤(1)获得的悬浊液加入反应釜中，在80℃～200℃下反应6～24h，随炉冷却；

(3)将步骤(2)后获得的材料洗涤、干燥，得到黑色粉末，即为三元镍钴锰硫化物赝电容超级电容器材料。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，反应的温度为160℃～200℃，反应的时间为8～10h。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硫源为九水合硫化钠(Na₂S·9H₂O)、硫代乙酰胺(CH₃CSNH₂)、硫代硫酸钠(Na₂S₂O₃)、二硫化碳(CS₂)或者硫脲(CH₄N₂S)中的一种或几种。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，镍钴锰前驱体的浓度为1g L^-1～4g L^-1；镍钴锰金属离子总摩尔量与硫离子的摩尔量比值为0.5～1。

5.如权利要求1～4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述干燥方式为冷冻干燥。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述冷冻干燥过程是指先在冰箱中预冻24h，再将预冻的材料置于真空冷冻干燥设备中在40℃的温度下干燥30～48h，然后在60℃的温度下干燥2～5h。