[发明专利]应用于PCB多层板的非接触式上下层铜厚的量测方法

权利要求书

1.一种应用于PCB多层板的非接触式上下层铜厚的量测方法，包含下列步骤︰

(A)备置设置在所述PCB多层板的上层的第一感测单元，及设置在所述PCB多层板的下层的第二感测单元；

(B)所述第一、二感测单元分别产生交变磁场，并向所述PCB多层板的上、下层表面产生感应电动势或电场，所述上、下层的金属面的阻抗形成位于所述上、下层表面的涡电流或反射信号，所述第一、二感测单元量测所述涡电流或反射信号，以得到位于所述上层的第一阻抗值，以及位于所述下层的第二阻抗值；

(C)形成于所述上、下层的涡电流或反射信号产生自所述上、下层反射的逆电动势或再反射信号，所述第一、二感测单元量测所述逆电动势或再反射信号，以得到自所述上层反射的第三阻抗值，以及自所述下层反射的第四阻抗值；及

(D)处理单元与所述第一、二感测单元电连接并依据所述第一、二感测单元所取得的第一、二、三、四阻抗值执行厚度计算，以取得所述PCB多层板的上层的第一厚度，以及所述下层的第二厚度；

其中，所述第一厚度的厚度计算是将所述上层的第一、三阻抗值差值除以所述第一、二感测单元向所述上、下层表面产生感应电动势或电场的作用面积，而所述第二厚度的厚度计算是将所述下层的第二、四阻抗值差值除以所述第一、二感测单元向所述上、下层表面产生感应电动势或电场的作用面积。

2.根据权利要求1所述的应用于PCB多层板的非接触式上下层铜厚的量测方法，其特征在于，所述第一、二感测单元的波束宽度(Beam Width)为X，所述PCB多层板与所述上、下层的间距各为d，所述PCB多层板的作用面积A 为((tanX/2x d)x 2)²。

3.根据权利要求2所述的应用于PCB多层板的非接触式上下层铜厚的量测方法，其特征在于，所述第一、二感测单元的波束宽度X为61度。

4.根据权利要求3所述的应用于PCB多层板的非接触式上下层铜厚的量测方法，其特征在于，所述第一、二感测单元与所述PCB多层板的上、下层的间距介于0.1mm～10mm。

5.根据权利要求4所述的应用于PCB多层板的非接触式上下层铜厚的量测方法，其特征在于，所述第一、二感测单元为微带天线，用以非接触式量测所述上、下层的金属层的厚度，所述微带天线包括具有第一面及相反的第二面的基板、设置于所述基板的第二面的金属接地层、设置于所述基板的第一面的辐射体、设置于所述基板的第一面的微带线，及馈入部，所述辐射体具有第一辐射部、第二辐射部、第三辐射部、及第四辐射部，所述微带线具有第一屏壁，及与所述第一屏壁垂直交叉连接的第二屏壁，所述馈入部具有与所述金属接地层连接的连接端，及位于所述第一面且与所述连接端及所述微带线连接的馈入端。

6.根据权利要求5所述的应用于PCB多层板的非接触式上下层铜厚的量测方法，其特征在于，所述基板更具有第一边、与所述第一边对向设置的第二边、位于所述第一、二边间的第三边，及与所述第三边对向设置的第四边，所述微带线的第一屏壁具有第一短边，及对向的第二短边，所述第二屏壁具有第三短边，及对向的第四短边，所述第一短边不与所述第一边连接，而所述第二短边与所述第二边连接，所述第一、二屏壁界定出四个辐射区，所述第一、二、三、四辐射部是分设于所述四个辐射区中。

7.根据权利要求6所述的应用于PCB多层板的非接触式上下层铜厚的量测方法，其特征在于，所述第一、三辐射部的一侧与所述第二屏壁的第三短边至所述第三边的距离相同，所述第二、四辐射部的一侧与所述第二屏壁的第四短边至所述第四边的距离相同，所述第一屏壁的第一短边至所述第一边的距离大于所述第一、二辐射部的一侧至所述第一边的距离。

8.根据权利要求7所述的应用于PCB多层板的非接触式上下层铜厚的量测方法，其特征在于，所述第一、三辐射部的一侧与所述第三短边至所述第三边的距离及所述第二、四辐射部的一侧与所述第四短边至所述第四边的距离大于所述第一、二辐射部的一侧至所述第一边的距离与所述第三、四辐射部的一侧至所述第二边的距离。