[发明专利]一种TFT旋转钼靶绑定装置及绑定方法

说明书

本发明涉及靶材绑定装置和绑定方法领域，特别是涉及一种TFT旋转钼靶绑定装置，包括绑定装置，绑定装置包括圆柱中空管，圆柱中空管为工字型圆柱中空管，圆柱中空管外表面开设有若干个真空连接孔，真空连接孔贯穿设置于圆柱中空管上，圆柱中空管顶部的圆周部安装有上封板，圆柱中空管底部的圆周部安装有下封板，圆柱中空管上部内圈设置有第一密封圈，圆柱中空管下部内圈设置有第二密封圈，有效提高绑定过程的气密性，保证绑定后的靶材与背管之间的致密性，降低气孔率，保证后续使用，本发明提供一种结构简单、实用性强的TFT旋转钼靶绑定装置及气孔率低、致密性好的绑定方法。

技术领域

本发明涉及靶材绑定装置和绑定方法领域，特别是涉及一种TFT旋转钼靶绑定装置及绑定方法。

背景技术

溅射技术是半导体制造领域的常用工艺之一，随着溅射技术的日益发展，溅射靶材在溅射技术中起到了越来越重要的作用，溅射靶材的质量直接影响到了溅射后的成膜质量。具有严格的成分配比、细腻的组织结构、高纯度、高密度、大尺寸的靶材是现代高端的光、电器件制造业，如显示器及太阳能薄膜电池等行业的基本要求。这也给传统的靶材生产制备技术和设备提出了更高的要求。TFT是在玻璃或塑料基板等非单晶片上或在晶片上通过溅射、化学沉积工艺形成制造电路必需的各种膜，通过对膜的加工制作大规模半导体集成电路。

现有的TFT靶材需要的绑定装置结构复杂，绑定技术步骤复杂，导致气孔率较大，造成致密性较低，不利于靶材后续的使用，实用性差。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种结构简单、实用性强的TFT旋转钼靶绑定装置及气孔率低、致密性好的绑定方法。

本发明采用如下技术方案：

一种TFT旋转钼靶绑定装置，包括圆柱中空管，所述圆柱中空管为工字型圆柱中空管，所述圆柱中空管外表面开设有若干个真空连接孔，所述真空连接孔贯穿设置于圆柱中空管上，所述圆柱中空管顶部的圆周部安装有上封板，所述圆柱中空管底部的圆周部安装有下封板，所述圆柱中空管上部内圈设置有第一密封圈，所述圆柱中空管下部内圈设置有第二密封圈。

对上述技术方案的进一步改进为，所述上封板和下封板均包括有第一封片和第二封片，所述第一封片和第二封片的顶部均开设有若干个第一螺纹孔，所述第一封片和第二封片通过螺栓连接于圆柱中空管上部。

对上述技术方案的进一步改进为，所述第一封片和第二封片均设置为Ω型封片。

对上述技术方案的进一步改进为，所述第一封片和第二封片两侧均设置有凸出部，所述凸出部开设有第二螺纹孔，所述第一封片通过螺栓穿过第二螺纹孔连接于第二封片。

对上述技术方案的进一步改进为，所述圆柱中空管上部开口内径小于圆柱中空管下部开后内径。

一种TFT旋转钼靶绑定方法，采用的装置为权利要求1-5任一项所述的TFT旋转钼靶绑定装置，包括以下步骤，

S1，准备靶材、背管、绑定装置和液体槽；

S2，将靶材套合于背管外，并把绑定装置套在靶材和背管顶部，其中绑定装置连接于抽真空泵；

S3，将靶材和背管一同放置到液体槽内，并对液体槽的金属银加热至150～350℃；

S4，打开抽真空泵，绑定装置内进行抽真空操作，将液体槽内的金属银抽至靶材和背管之间进行绑定焊料；

S5，绑定后，进行检测，绑定贴合率大于97％，气孔率低于3％。

对上述技术方案的进一步改进为，所述靶材与背管之间的金属绑定厚度为0.5～1.5mm。

本发明的有益效果：