[发明专利]提供接合连接的装置和方法在审
申请号: | 201910268058.7 | 申请日: | 2019-04-03 |
公开(公告)号: | CN110349873A | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | F·伊科克;M·S·布罗尔;S·托费恩科 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/607 | 分类号: | H01L21/607 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱;张昊 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合线 第一端 第一导电层 接合 按压 超声能量 第一元件 矩形截面 施加压力 圆形截面 电接触 加热 变形 暴露 创建 | ||
1.一种方法,包括:
加热将要被电接触且布置在第一元件(10)上的第一导电层(14);以及
通过向接合线(20)的第一端(22)施加压力并且进一步将所述接合线(20)的所述第一端(22)暴露给超声能量来将所述接合线(20)的所述第一端(22)按压在所述第一导电层(14)上,从而使所述接合线(20)的所述第一端(22)变形,并且在所述接合线(20)的所述第一端(22)与所述第一导电层(14)之间创建永久的物-物接合;其中
所述接合线(20)包括具有至少125μm的直径(d1)的圆形截面或者具有至少500μm的第一宽度(w1)和至少50μm的第一高度(h1)的矩形截面。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在所述接合线(20)和所述第一层(14)之间建立楔-楔接合连接。
3.根据权利要求1或2所述的方法,还包括:将所述第一导电层(14)加热到80℃和250℃之间、100℃和250℃之间或者150℃和250℃之间的温度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,还包括:
在所述第一层(14)和所述接合线(20)的所述第一端(22)周围提供惰性气体、还原保护气体或真空。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中所述第一层(14)具有至少5μm、至少25μm或至少50μm的厚度(d2、d3)。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中所述接合线(20)具有第一硬度,并且所述第一层(14)具有第二硬度,其中所述第二硬度大于所述第一硬度。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述第二硬度大于或等于所述第一硬度的150%。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其中所述接合线(20)包括第一材料,并且所述第一层(14)包括所述第一材料的合金。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述接合线(20)包括铜。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法,还包括:
将所述接合线(20)插入接合器件(30)的引导元件(32、36)中,其中所述接合器件(30)被配置为相对于所述第一元件(10)将所述接合线(20)的所述第一端(22)定位在期望位置处,并且在所述期望位置处将所述接合线(20)的所述第一端(22)按压在所述第一元件(10)上。
11.一种用于在接合线(20)和第一元件(10)的第一导电表面(14)之间建立永久接合连接的装置,所述装置包括:
接合室(60、66);
接合器件(30),布置在所述接合室(60、66)内,其中所述接合器件(30)被配置为将所述接合线(20)的第一端(22)按压在所述第一导电表面(14)上;以及
加热器件(40),被配置为加热所述第一层(14)和所述接合线(20)的所述第一端(22),其中
所述装置被配置为在所述第一表面(14)和接合线(20)之间建立连接,所述接合线(20)包括具有至少125μm的直径(d1)的圆形截面或者具有至少500μm的第一宽度(w1)和至少50μm的第一高度(h1)的矩形截面。
12.根据权利要求11所述的装置,其中所述接合器件(30)进一步被配置为在所述接合线(20)和所述第一层(14)之间建立楔-楔接合连接。
13.根据权利要求11或12所述的装置,其中所述接合室(60)包括开口(62),并且所述接合器件(30)通过所述开口(30)伸出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造